1-5KE33CA

1-5KE33CA

Cantidad
Precio unitario
1-4
0.54€
5-24
0.41€
25-49
0.36€
50-99
0.32€
100+
0.27€
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Cantidad en inventario: 81

1-5KE33CA. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Corriente de fuga al cerrar Ir [A] @ Uz [V]: 5uA @ 28.2V. Corriente de fuga: 1uA. Corriente de pulso Máx.: 33.3A. Corriente de pulso máxima (10/1000us): 33A. Disipación de potencia máxima: 1500W. Disipación máxima (pulso) Pp [W] @ t[mseg.]: 1500 W @ 1ms. Estructura dieléctrica: bidireccional. Estructura semiconductora: bidireccional. Estructura: bidireccional. Función: Protección contra la sobrevoltaje. IFSM: 200A. Información: -. Material semiconductor: silicio. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 2. Pd (disipación de potencia, máx.): 1.5 kW. Potencia: 1.5kW. Propiedades del semiconductor: vidrio pasivado. RoHS: sí. Serie: 1.5KE. Temperatura máxima: +175°C.. Tensión de mantenimiento en dirección cerrada [V]: 28.2V. Tensión de ruptura: 33V. Tensión directa Vf (mín.): 3.5V. Tensión umbral Vf (máx): 5V. Tipo de diodo: TVS. Tipo de montaje: THT. Tipo de supresor transitorio: bidireccional. Tolerancia: 5%. Ubr [V] a Ibr [A]: 34.7V @ 1mA. Vivienda: DO-27. Voltaje de ruptura (mín.): 31.4V. Voltaje de separación inversa: 28.2V. Voltaje inverso máximo: 28.2V. Producto original del fabricante: Lge Technology. Cantidad en stock actualizada el 24/11/2025, 03:42

Documentación técnica (PDF)
1-5KE33CA
35 parámetros
Configuración
Montaje mediante orificio pasante en PCB
Corriente de fuga al cerrar Ir [A] @ Uz [V]
5uA @ 28.2V
Corriente de fuga
1uA
Corriente de pulso Máx.
33.3A
Corriente de pulso máxima (10/1000us)
33A
Disipación de potencia máxima
1500W
Disipación máxima (pulso) Pp [W] @ t[mseg.]
1500 W @ 1ms
Estructura dieléctrica
bidireccional
Estructura semiconductora
bidireccional
Estructura
bidireccional
Función
Protección contra la sobrevoltaje
IFSM
200A
Material semiconductor
silicio
Montaje/instalación
Montaje mediante orificio pasante en PCB
Número de terminales
2
Pd (disipación de potencia, máx.)
1.5 kW
Potencia
1.5kW
Propiedades del semiconductor
vidrio pasivado
RoHS
Serie
1.5KE
Temperatura máxima
+175°C.
Tensión de mantenimiento en dirección cerrada [V]
28.2V
Tensión de ruptura
33V
Tensión directa Vf (mín.)
3.5V
Tensión umbral Vf (máx)
5V
Tipo de diodo
TVS
Tipo de montaje
THT
Tipo de supresor transitorio
bidireccional
Tolerancia
5%
Ubr [V] a Ibr [A]
34.7V @ 1mA
Vivienda
DO-27
Voltaje de ruptura (mín.)
31.4V
Voltaje de separación inversa
28.2V
Voltaje inverso máximo
28.2V
Producto original del fabricante
Lge Technology