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4N25-LIT
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4N25-LIT. CTR: 20...50 %. Corriente del colector: 50mA. Diodo IF Courant (pico): 3A. Diodo SI: 60mA. Equivalentes: LTV-4N25. Función: Salida de fototransistor, con conexión base. Ic (pulso): 100mA. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 6. Pd (disipación de potencia, máx.): 150mW. Potencia del diodo: 0.1W. RoHS: sí. Salida: salida de transistor con base. Temperatura de funcionamiento: -55...+100°C. Tensión colector/emisor Vceo: 80V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 0.5V. Tensión umbral del diodo: 1.2V. Tf (tipo): 3us. VRRM: 5000V. Vcbo: 80V. Velocidad: 7V. Vivienda (según ficha técnica): DIP-6. Vivienda: DIP. Producto original del fabricante: Lite-on. Cantidad en stock actualizada el 14/11/2025, 00:30