Cantidad | sin IVA | IVA incl. |
---|---|---|
1 - 9 | 0.43€ | 0.52€ |
10 - 24 | 0.41€ | 0.50€ |
25 - 49 | 0.38€ | 0.46€ |
50 - 99 | 0.36€ | 0.44€ |
100 - 249 | 0.35€ | 0.42€ |
250 - 262 | 0.32€ | 0.39€ |
Cantidad | U.P | |
---|---|---|
1 - 9 | 0.43€ | 0.52€ |
10 - 24 | 0.41€ | 0.50€ |
25 - 49 | 0.38€ | 0.46€ |
50 - 99 | 0.36€ | 0.44€ |
100 - 249 | 0.35€ | 0.42€ |
250 - 262 | 0.32€ | 0.39€ |
4N25-LIT. CTR: 20...50 %. Diodo SI: 60mA. Diodo IF Courant (pico): 3A. Potencia del diodo: 0.1W. Tensión umbral del diodo: 1.2V. Corriente del colector: 50mA. Ic (pulso): 100mA. Salida: salida de transistor con base. Equivalentes: LTV-4N25. Pd (disipación de potencia, máx.): 150mW. RoHS: sÃ. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tf (tipo): 3us. Vivienda: DIP. Vivienda (según ficha técnica): DIP-6. Temperatura de funcionamiento: -55...+100°C. Vcbo: 80V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 0.5V. Tensión colector/emisor Vceo: 80V. Velocidad: 7V. VRRM: 5000V. Número de terminales: 6. Función: Salida de fototransistor, con conexión base. Cantidad en stock actualizada el 19/04/2025, 17:25.
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