4N25-LIT

4N25-LIT

Cantidad
Precio unitario
1-4
0.41€
5-49
0.35€
50-99
0.30€
100-199
0.28€
200+
0.23€
Equivalencia disponible
Cantidad en inventario: 251

4N25-LIT. CTR: 20...50 %. Corriente del colector: 50mA. Diodo IF Courant (pico): 3A. Diodo SI: 60mA. Equivalentes: LTV-4N25. Función: Salida de fototransistor, con conexión base. Ic (pulso): 100mA. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 6. Pd (disipación de potencia, máx.): 150mW. Potencia del diodo: 0.1W. RoHS: sí. Salida: salida de transistor con base. Temperatura de funcionamiento: -55...+100°C. Tensión colector/emisor Vceo: 80V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 0.5V. Tensión umbral del diodo: 1.2V. Tf (tipo): 3us. VRRM: 5000V. Vcbo: 80V. Velocidad: 7V. Vivienda (según ficha técnica): DIP-6. Vivienda: DIP. Producto original del fabricante: Lite-on. Cantidad en stock actualizada el 14/11/2025, 00:30

4N25-LIT
24 parámetros
CTR
20...50 %
Corriente del colector
50mA
Diodo IF Courant (pico)
3A
Diodo SI
60mA
Equivalentes
LTV-4N25
Función
Salida de fototransistor, con conexión base
Ic (pulso)
100mA
Montaje/instalación
Montaje mediante orificio pasante en PCB
Número de terminales
6
Pd (disipación de potencia, máx.)
150mW
Potencia del diodo
0.1W
RoHS
Salida
salida de transistor con base
Temperatura de funcionamiento
-55...+100°C
Tensión colector/emisor Vceo
80V
Tensión máxima de saturación VCE(sat)
0.5V
Tensión umbral del diodo
1.2V
Tf (tipo)
3us
VRRM
5000V
Vcbo
80V
Velocidad
7V
Vivienda (según ficha técnica)
DIP-6
Vivienda
DIP
Producto original del fabricante
Lite-on

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