4N28

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4N28. CTR: 10...30 %. Diodo SI: 60mA. Diodo IF Courant (pico): 3A. Potencia del diodo: 0.1W. Tensión umbral del diodo: 1.3V. Corriente del colector: 50mA. Ic (pulso): 100mA. Salida: salida de transistor con base. Pd (disipación de potencia, máx.): 150mW. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tf (tipo): 2us. Vivienda: DIP. Vivienda (según ficha técnica): DIP-6. Temperatura de funcionamiento: -55...+100°C. Vcbo: 70V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 0.5V. Tensión colector/emisor Vceo: 30 v. Velocidad: 7V. VECO: 7V. Vrms: 5000V. Número de terminales: 6. Nota: Iceo 10nA. Función: Salida de fototransistor, con conexión base. Cantidad en stock actualizada el 19/04/2025, 17:25.

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