4N33M

4N33M. CTR: 500 %. Diodo SI: 80mA. Diodo IF Courant (pico): 3A. Potencia del diodo: 150mW. Tensión umbral del diodo: 1.2V. Ganancia mínima de hFE: 5000. Corriente del colector: 50mA. Salida: salida de transistor darlington. Pd (disipación de potencia, máx.): 150mW. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Vivienda: DIP. Vivienda (según ficha técnica): DIP-6. Temperatura de funcionamiento: -55...+100°C. Vcbo: 100V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 1V. Tensión colector/emisor Vceo: 60V. VECO: 5V. VRRM: 5300V. Número de terminales: 6. Función: Salida de fototransistor, con conexión base. Spec info: ton 5us, toff 100us. Cantidad en stock actualizada el 28/04/2025, 00:25.