4N33M. CTR: 500 %. Corriente del colector: 50mA. Diodo IF Courant (pico): 3A. Diodo SI: 80mA. Función: Salida de fototransistor, con conexión base. Ganancia mínima de hFE: 5000. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 6. Pd (disipación de potencia, máx.): 150mW. Potencia del diodo: 150mW. RoHS: sí. Salida: salida de transistor darlington. Spec info: ton 5us, toff 100us. Temperatura de funcionamiento: -55...+100°C. Tensión colector/emisor Vceo: 60V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 1V. Tensión umbral del diodo: 1.2V. VECO: 5V. VRRM: 5300V. Vcbo: 100V. Vivienda (según ficha técnica): DIP-6. Vivienda: DIP. Producto original del fabricante: ON Semiconductor. Cantidad en stock actualizada el 14/11/2025, 00:30