Componentes y equipos electrónicos, para empresas y particulares.
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4N35M. CTR: 40...100 %. Diodo SI: 100mA. Diodo IF Courant (pico): 3A. Potencia del diodo: 150mW. Tensión umbral del diodo: 1.18V. Salida: salida de transistor con base. Paso: 7.62mm. Pd (disipación de potencia, máx.): 150mW. RoHS: sí. Paso: 7.56mm. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tf (tipo): 2us. Vivienda: DIP. Vivienda (según ficha técnica): DIP-6. Tr: 2us. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Vcbo: 120V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.3V. Tensión colector/emisor Vceo: 100V. VECO: 10V. VRRM: 5300V. Número de terminales: 6. Cantidad en stock actualizada el 19/04/2025, 17:25.

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