6N136-F. CTR: 19...24 %. Corriente del colector: 8mA. Diodo IF Courant (pico): 50mA. Diodo SI: 25mA. Ic (pulso): 16mA. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 8:1. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.1W. Potencia del diodo: 45mW. RoHS: sí. Salida: salida de transistor. Spec info: High speed, 1MBit/s. Temperatura de funcionamiento: -55...+100°C. Tensión umbral del diodo: 1.45V. VCC: 15V. VRRM: 2500V. Velocidad de transmisión: 1 MBit/s. Vivienda (según ficha técnica): DIP-8. Vivienda: DIP. Producto original del fabricante: Toshiba. Cantidad en stock actualizada el 14/11/2025, 00:30