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BT151-650R
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BT151-650R. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Corriente efectiva (periódica) Iav [A], máx.: 7.5A. Es M: 100A. Familia de componentes: tiristor. Fecha de producción: 2014/45. IP de corriente máxima (no repetitiva) [a]: 132A. Igm[A]: 15mA. Igt (Tipo): 2mA. Igt (máx.): 15mA. Ih (Tipo): 7mA. Ih (máx.): 20mA. Marcado del fabricante: BT151-650R. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Número de terminales: 3. RoHS: sí. Spec info: F-Thyristor 2us. TI (AV): 7.5A. TI(RSM) (TC=85°C): 12A. Temperatura máxima: +125°C.. Temperatura: +125°C. Tensión de pico (repetitiva) Urrm [V]: 650V. Tgt: 2us. Tq: 70us. VDRM: 650V. Vivienda (norma JEDEC): TO-220AB. Vivienda (según ficha técnica): SOT-78 ( TO220AB ). Vivienda: TO-220. Producto original del fabricante: Nxp Semiconductors. Cantidad en stock actualizada el 14/12/2025, 14:32
BT151-650R
29 parámetros
Configuración
Montaje mediante orificio pasante en PCB
Corriente efectiva (periódica) Iav [A], máx.
7.5A
Es M
100A
Familia de componentes
tiristor
Fecha de producción
2014/45
IP de corriente máxima (no repetitiva) [a]
132A
Igm[A]
15mA
Igt (Tipo)
2mA
Igt (máx.)
15mA
Ih (Tipo)
7mA
Ih (máx.)
20mA
Marcado del fabricante
BT151-650R
Montaje/instalación
Montaje mediante orificio pasante en PCB
Número de terminales
3
Número de terminales
3
RoHS
sí
Spec info
F-Thyristor 2us
TI (AV)
7.5A
TI(RSM) (TC=85°C)
12A
Temperatura máxima
+125°C.
Temperatura
+125°C
Tensión de pico (repetitiva) Urrm [V]
650V
Tgt
2us
Tq
70us
VDRM
650V
Vivienda (norma JEDEC)
TO-220AB
Vivienda (según ficha técnica)
SOT-78 ( TO220AB )
Vivienda
TO-220
Producto original del fabricante
Nxp Semiconductors