Componentes y equipos electrónicos, para empresas y particulares.
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BZT03C150

BZT03C150
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5 - 9 1.36€ 1.65€
10 - 24 1.32€ 1.60€
25 - 49 1.29€ 1.56€
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BZT03C150. Estructura dieléctrica: unidireccional. Material semiconductor: silicio. Función: diodo zener, protección contra sobretensiones. Tensión de ruptura: 150V. Dimensiones: 4.57x3.81mm. Pd (disipación de potencia, máx.): 3.25W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Vivienda: SOD-57 ( Glass ). Tolerancia: 5%. Voltaje zener: 150V. Producto original del fabricante Vishay. Cantidad en stock actualizada el 25/07/2025, 16:25.

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P6KE150A

P6KE150A

RoHS: sí. Vivienda: DO-15. Ubr [V] a Ibr [A]: 150V @ 1mA. Ubr [V] a Ibr [A]: 158V @ 1mA. Corriente ...
P6KE150A
RoHS: sí. Vivienda: DO-15. Ubr [V] a Ibr [A]: 150V @ 1mA. Ubr [V] a Ibr [A]: 158V @ 1mA. Corriente de fuga al cerrar Ir [A] @ Uz [V]: 5uA @ 128V. Disipación máxima (pulso) Pp [W] @ t[mseg.]: 600W @ 1ms. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -50°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +175°C. Familia de componentes: Supresor unidireccional serie P6KE (600W @ 1ms). Vivienda: soldadura de PCB. Tensión de mantenimiento en dirección cerrada [V]: 128V. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 2. Tipo de supresor transitorio: unidireccional. Ubr [V] a Ibr [A]: 143V @ 1mA
P6KE150A
RoHS: sí. Vivienda: DO-15. Ubr [V] a Ibr [A]: 150V @ 1mA. Ubr [V] a Ibr [A]: 158V @ 1mA. Corriente de fuga al cerrar Ir [A] @ Uz [V]: 5uA @ 128V. Disipación máxima (pulso) Pp [W] @ t[mseg.]: 600W @ 1ms. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -50°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +175°C. Familia de componentes: Supresor unidireccional serie P6KE (600W @ 1ms). Vivienda: soldadura de PCB. Tensión de mantenimiento en dirección cerrada [V]: 128V. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 2. Tipo de supresor transitorio: unidireccional. Ubr [V] a Ibr [A]: 143V @ 1mA
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1-5KE150A

1-5KE150A

RoHS: sí. Tensión directa Vf (mín.): 3.5V. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-...
1-5KE150A
RoHS: sí. Tensión directa Vf (mín.): 3.5V. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Material semiconductor: silicio. Función: Protección contra la sobrevoltaje. IFSM: 200A. Número de terminales: 2. Tensión de ruptura: 150V. Pd (disipación de potencia, máx.): 1500W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Vivienda: DO-201. Vivienda (según ficha técnica): DO-201 ( 9.0x5.0mm ). Tolerancia: 5%. Temperatura de funcionamiento: -50...+175°C. Tensión umbral Vf (máx): 5V
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RoHS: sí. Tensión directa Vf (mín.): 3.5V. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Material semiconductor: silicio. Función: Protección contra la sobrevoltaje. IFSM: 200A. Número de terminales: 2. Tensión de ruptura: 150V. Pd (disipación de potencia, máx.): 1500W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Vivienda: DO-201. Vivienda (según ficha técnica): DO-201 ( 9.0x5.0mm ). Tolerancia: 5%. Temperatura de funcionamiento: -50...+175°C. Tensión umbral Vf (máx): 5V
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