CNY17-1

CNY17-1. CTR: 40...80 %. Diodo SI: 60mA. Diodo IF Courant (pico): 2.5A. Potencia del diodo: 0.1W. Tensión umbral del diodo: 1.25V. Corriente del colector: 50mA. Ic (pulso): 100mA. Salida: salida de transistor con base. Paso: 7.62mm. Pd (disipación de potencia, máx.): 150mW. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tf (tipo): 2us. Vivienda: DIP. Vivienda (según ficha técnica): DIP-6. Tr: 2us. Temperatura de funcionamiento: -55...+100°C. Tensión de saturación VCE(sat): 0.25V. Tensión colector/emisor Vceo: 70V. Velocidad: 7V. VRRM: 5300V. Número de terminales: 6. Cantidad en stock actualizada el 20/04/2025, 00:25.