CNY75C

CNY75C

Cantidad
Precio unitario
1-4
0.56€
5-24
0.45€
25-49
0.39€
50-99
0.33€
100+
0.24€
Cantidad en inventario: 195

CNY75C. CTR: 160...320 %. Corriente del colector: 50mA. Diodo IF Courant (pico): 3A. Diodo SI: 60mA. Función: Salida de fototransistor, con conexión base. Ic (pulso): 100mA. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 6. Paso: 7.62mm. Pd (disipación de potencia, máx.): 70mW. Potencia del diodo: 70mW. RoHS: sí. Salida: salida de transistor con base. Temperatura de funcionamiento: -55...+110°C. Tensión colector/emisor Vceo: 70V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.3V. Tensión umbral del diodo: 1.25V. Tf (tipo): 4.7us. Tr: 4.2us. VECO: 7V. VRRM: 6000V. Vcbo: 70V. Vivienda (según ficha técnica): DIP-6. Vivienda: DIP. Producto original del fabricante: Vishay. Cantidad en stock actualizada el 14/11/2025, 00:30

Documentación técnica (PDF)
CNY75C
25 parámetros
CTR
160...320 %
Corriente del colector
50mA
Diodo IF Courant (pico)
3A
Diodo SI
60mA
Función
Salida de fototransistor, con conexión base
Ic (pulso)
100mA
Montaje/instalación
Montaje mediante orificio pasante en PCB
Número de terminales
6
Paso
7.62mm
Pd (disipación de potencia, máx.)
70mW
Potencia del diodo
70mW
RoHS
Salida
salida de transistor con base
Temperatura de funcionamiento
-55...+110°C
Tensión colector/emisor Vceo
70V
Tensión de saturación VCE(sat)
0.3V
Tensión umbral del diodo
1.25V
Tf (tipo)
4.7us
Tr
4.2us
VECO
7V
VRRM
6000V
Vcbo
70V
Vivienda (según ficha técnica)
DIP-6
Vivienda
DIP
Producto original del fabricante
Vishay