Cantidad | sin IVA | IVA incl. |
---|---|---|
1 - 9 | 0.58€ | 0.70€ |
10 - 24 | 0.55€ | 0.67€ |
25 - 49 | 0.52€ | 0.63€ |
50 - 99 | 0.49€ | 0.59€ |
100 - 195 | 0.40€ | 0.48€ |
Cantidad | U.P | |
---|---|---|
1 - 9 | 0.58€ | 0.70€ |
10 - 24 | 0.55€ | 0.67€ |
25 - 49 | 0.52€ | 0.63€ |
50 - 99 | 0.49€ | 0.59€ |
100 - 195 | 0.40€ | 0.48€ |
CNY75C. CTR: 160...320 %. Diodo SI: 60mA. Diodo IF Courant (pico): 3A. Potencia del diodo: 70mW. Tensión umbral del diodo: 1.25V. Corriente del colector: 50mA. Ic (pulso): 100mA. Salida: salida de transistor con base. Paso: 2.54mm. Pd (disipación de potencia, máx.): 70mW. RoHS: sí. Paso: 7.62mm. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tf (tipo): 4.7us. Vivienda: DIP. Vivienda (según ficha técnica): DIP-6. Tr: 4.2us. Temperatura de funcionamiento: -55...+110°C. Vcbo: 70V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.3V. Tensión colector/emisor Vceo: 70V. VECO: 7V. VRRM: 6000V. Número de terminales: 6. Función: Salida de fototransistor, con conexión base. Cantidad en stock actualizada el 19/04/2025, 20:25.
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