CNY75GB

CNY75GB. CTR: 100...200 %. Diodo SI: 60mA. Diodo IF Courant (pico): 3A. Potencia del diodo: 70mW. Tensión umbral del diodo: 1.25V. Corriente del colector: 50mA. Ic (pulso): 100mA. Salida: salida de transistor con base. Paso: 2.54mm. Pd (disipación de potencia, máx.): 70mW. RoHS: sí. Paso: 10.16mm. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tf (tipo): 4.7us. Vivienda: DIP. Vivienda (según ficha técnica): DIP-6. Tr: 4.2us. Temperatura de funcionamiento: -55...+110°C. Vcbo: 70V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.3V. Tensión colector/emisor Vceo: 70V. VECO: 7V. VRRM: 6000V. Número de terminales: 6. Función: Salida de fototransistor, con conexión base. Cantidad en stock actualizada el 19/04/2025, 22:25.