IL207AT

IL207AT. CTR: 100...200 %. Diodo SI: 60mA. Potencia del diodo: 90mW. Tensión umbral del diodo: 1.3V. Corriente del colector: 50mA. Ic (pulso): 100mA. Salida: salida de transistor con base. Número de terminales: 8:1. Pd (disipación de potencia, máx.): 150mW. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Tf (tipo): 3us. Vivienda: SO. Vivienda (según ficha técnica): SO-8. Temperatura de funcionamiento: -55...+100°C. Vcbo: 70V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.4V. Tensión colector/emisor Vceo: 70V. Velocidad: 7V. VECO: 7V. VRRM: 4000V. Función: Salida de fototransistor, con conexión base. Cantidad en stock actualizada el 20/04/2025, 04:25.