NTR4101PT1G
Cantidad
Precio unitario
20-39
0.25€
40-199
0.23€
200-999
0.20€
1000-2999
0.19€
3000+
0.18€
| Cantidad en inventario: 545 |
NTR4101PT1G. Características: -. Id @ Tc=25°C (corriente de drenaje continua): -1.8. Información: -. MSL: 1. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.46W. Polaridad: MOSFET P. Serie: -. Tensión de puerta/fuente Vgs máx.: ±8V. Tipo de montaje: SMD. Vdss (voltaje de drenaje a fuente): -20V. Vivienda: SOT23. Producto original del fabricante: Infineon. Cantidad mínima: 20. Cantidad en stock actualizada el 15/02/2026, 04:04
NTR4101PT1G
10 parámetros
Id @ Tc=25°C (corriente de drenaje continua)
-1.8
MSL
1
Pd (disipación de potencia, máx.)
0.46W
Polaridad
MOSFET P
Tensión de puerta/fuente Vgs máx.
±8V
Tipo de montaje
SMD
Vdss (voltaje de drenaje a fuente)
-20V
Vivienda
SOT23
Producto original del fabricante
Infineon
Cantidad mínima
20