SI2333CDS-T1-E3
Cantidad
Precio unitario
5-9
0.96€
10-49
0.86€
50-199
0.78€
200-2999
0.72€
3000+
0.56€
| Cantidad en inventario: 2925 |
SI2333CDS-T1-E3. Características: -. Id @ Tc=25°C (corriente de drenaje continua): 7.1A. Información: -. MSL: -. Polaridad: MOSFET P. Serie: TrenchFET. Tensión de puerta/fuente Vgs máx.: ±8V. Tipo de montaje: Montaje en superficie. Vdss (voltaje de drenaje a fuente): 12V. Producto original del fabricante: Vishay Siliconix. Cantidad mínima: 5. Cantidad en stock actualizada el 15/02/2026, 04:04
SI2333CDS-T1-E3
8 parámetros
Id @ Tc=25°C (corriente de drenaje continua)
7.1A
Polaridad
MOSFET P
Serie
TrenchFET
Tensión de puerta/fuente Vgs máx.
±8V
Tipo de montaje
Montaje en superficie
Vdss (voltaje de drenaje a fuente)
12V
Producto original del fabricante
Vishay Siliconix
Cantidad mínima
5