SI4435DDY-T1-GE3. Características: -. Id @ Tc=25°C (corriente de drenaje continua): 11.4A. Información: -. MSL: -. Pd (disipación de potencia, máx.): 5W. Polaridad: MOSFET P. Serie: TrenchFET. Tensión de puerta/fuente Vgs máx.: -20V. Tipo de montaje: SMD. Vdss (voltaje de drenaje a fuente): -30V. Vivienda: SO8. Producto original del fabricante: Vishay Siliconix. Cantidad mínima: 5. Cantidad en stock actualizada el 15/02/2026, 04:04