SMBJ12A

SMBJ12A. RoHS: sí. Tolerancia: 5%. Temperatura de funcionamiento: -65...+150°C. Tensión umbral Vf (máx): 5V. Tensión directa Vf (mín.): 3.5V. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Material semiconductor: silicio. Función: Protección contra la sobrevoltaje. IFSM: 100A. Nota: serigrafía/código SMD LE. Marcado en la caja: LE. Número de terminales: 2. Tensión de ruptura: 12V. Pd (disipación de potencia, máx.): 600W. Spec info: Ppk--600W t=1ms, IFSM--100Ap t=8.3ms. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Vivienda: DO-214. Vivienda (según ficha técnica): SMC DO214AB ( 5.2x3.6mm ). Producto original del fabricante Taiwan Semiconductor. Cantidad en stock actualizada el 26/07/2025, 12:25.