SMBJ12A. Cantidad por caja: 1. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Corriente de fuga al cerrar Ir [A] @ Uz [V]: 5uA @ 12V. Disipación máxima (pulso) Pp [W] @ t[mseg.]: 600W @ 1ms. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Familia de componentes: Supresor unidireccional (600W @ 1ms), Componente montado en superficie (SMD). Función: Protección contra la sobrevoltaje. IFSM: 100A. Marcado en la caja: LE. Material semiconductor: silicio. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Nota: serigrafía/código SMD LE. Número de terminales: 2. Número de terminales: 2. Pd (disipación de potencia, máx.): 600W. RoHS: sí. Spec info: Ppk--600W t=1ms, IFSM--100Ap t=8.3ms. Temperatura de funcionamiento: -65...+150°C. Temperatura máxima: +150°C.. Tensión de mantenimiento en dirección cerrada [V]: 12V. Tensión de ruptura: 12V. Tensión directa Vf (mín.): 3.5V. Tensión umbral Vf (máx): 5V. Tipo de supresor transitorio: unidireccional. Tolerancia: 5%. Ubr [V] a Ibr [A]: 14.7V @ 1mA. Vivienda (según ficha técnica): SMC DO214AB ( 5.2x3.6mm ). Vivienda: DO-214. Producto original del fabricante: Taiwan Semiconductor. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 15:00