SMBJ36A. Cantidad por caja: 1. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Corriente de fuga al cerrar Ir [A] @ Uz [V]: 5uA @ 36V. Corriente de fuga: 1uA. Corriente de pulso Máx.: 10.3A. Disipación máxima (pulso) Pp [W] @ t[mseg.]: 600W @ 1ms. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Estructura semiconductora: unidireccional. Familia de componentes: diodo de supresión transitoria. Función: Protección contra la sobrevoltaje. IFSM: 100A. Material semiconductor: silicio. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 2. Número de terminales: 2. Pd (disipación de potencia, máx.): 600W. Potencia: 600W. Propiedades del semiconductor: vidrio pasivado. RoHS: sí. Spec info: Ppk--600W t=1ms, IFSM--100Ap t=8.3ms. Temperatura de funcionamiento: -65...+150°C. Temperatura máxima: +150°C.. Tensión de mantenimiento en dirección cerrada [V]: 36V. Tensión de ruptura: 36V. Tensión directa Vf (mín.): 3.5V. Tensión umbral Vf (máx): 5V. Tipo de diodo: TVS. Tipo de supresor transitorio: unidireccional. Tolerancia: 5%. Ubr [V] a Ibr [A]: 44.2V @ 1mA. VRRM: 36V. Vivienda (según ficha técnica): SMC DO214AB ( 5.2x3.6mm ). Vivienda: DO-214. Voltaje inverso máximo: 36V. Producto original del fabricante: Taiwan Semiconductor. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 15:00