Cantidad | sin IVA | IVA incl. |
---|---|---|
1 - 9 | 0.16€ | 0.19€ |
10 - 24 | 0.15€ | 0.18€ |
25 - 49 | 0.15€ | 0.18€ |
50 - 99 | 0.14€ | 0.17€ |
100 - 249 | 0.13€ | 0.16€ |
250 - 499 | 0.13€ | 0.16€ |
500 - 1832 | 0.12€ | 0.15€ |
Cantidad | U.P | |
---|---|---|
1 - 9 | 0.16€ | 0.19€ |
10 - 24 | 0.15€ | 0.18€ |
25 - 49 | 0.15€ | 0.18€ |
50 - 99 | 0.14€ | 0.17€ |
100 - 249 | 0.13€ | 0.16€ |
250 - 499 | 0.13€ | 0.16€ |
500 - 1832 | 0.12€ | 0.15€ |
SMBJ40A. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Material semiconductor: silicio. Función: Protección contra la sobrevoltaje. IFSM: 100A. Número de terminales: 2. Pd (disipación de potencia, máx.): 600W. RoHS: sí. Spec info: Ppk--600W t=1ms, IFSM--100Ap t=8.3ms. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Vivienda: DO-214. Vivienda (según ficha técnica): SMC DO214AB ( 5.2x3.6mm ). Tolerancia: 5%. Temperatura de funcionamiento: -65...+150°C. Tensión umbral Vf (máx): 5V. Tensión directa Vf (mín.): 3.5V. VRRM: 40V. Producto original del fabricante Taiwan Semiconductor. Cantidad en stock actualizada el 08/06/2025, 04:25.
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