SMBJ6-0A

SMBJ6-0A. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Material semiconductor: silicio. IFSM: 100A. Pd (disipación de potencia, máx.): 600W. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Vivienda: DO-214. Vivienda (según ficha técnica): SMC DO214AB ( 5.2x3.6mm ). Tolerancia: 5%. Temperatura de funcionamiento: -65...+150°C. Tensión umbral Vf (máx): 5V. Tensión directa Vf (mín.): 3.5V. VRRM: 6V. Número de terminales: 2. Cantidad por caja: 1. Spec info: Ppk--600W t=1ms, IFSM--100Ap t=8.3ms. Cantidad en stock actualizada el 20/04/2025, 04:25.