SMBJ60A. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Función: Protección contra la sobrevoltaje. IFSM: 100A. Material semiconductor: silicio. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 2. Pd (disipación de potencia, máx.): 600W. RoHS: sí. Spec info: Ppk--600W t=1ms, IFSM--100Ap t=8.3ms. Temperatura de funcionamiento: -65...+150°C. Tensión directa Vf (mín.): 3.5V. Tensión umbral Vf (máx): 5V. Tolerancia: 5%. VRRM: 60V. Vivienda (según ficha técnica): SMC DO214AB ( 5.2x3.6mm ). Vivienda: DO-214. Producto original del fabricante: Taiwan Semiconductor. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 15:00