ST02D-82
| Cantidad | sin IVA | IVA incl. |
|---|---|---|
| 1 - 4 | 2.89€ | 3.50€ |
| 5 - 9 | 2.75€ | 3.33€ |
| 10 - 24 | 2.66€ | 3.22€ |
| 25 - 49 | 2.60€ | 3.15€ |
| 50 - 99 | 2.55€ | 3.09€ |
| 100 - 117 | 2.46€ | 2.98€ |
| Cantidad | U.P | |
|---|---|---|
| 1 - 4 | 2.89€ | 3.50€ |
| 5 - 9 | 2.75€ | 3.33€ |
| 10 - 24 | 2.66€ | 3.22€ |
| 25 - 49 | 2.60€ | 3.15€ |
| 50 - 99 | 2.55€ | 3.09€ |
| 100 - 117 | 2.46€ | 2.98€ |
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ST02D-82. Cantidad por caja: 2. Estructura dieléctrica: unidireccional. Material semiconductor: silicio. Función: Protección contra la sobrevoltaje. Corriente directa (AV): 1.7A. Número de terminales: 2. Tensión de ruptura: 82V. Pd (disipación de potencia, máx.): 200W. RoHS: sí. Spec info: 200W (t=1ms). Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Vivienda: DO-201. Vivienda (según ficha técnica): DO-201 ( 5x4mm ). Tolerancia: 5%. Temperatura de funcionamiento: -40...+150°C. Producto original del fabricante Shindengen Electric. Cantidad en stock actualizada el 26/07/2025, 02:25.
Productos equivalentes :
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Ubr [V] a Ibr [A]: 82V @ 1mA. Ubr [V] a Ibr [A]: 86.1V @ 1mA. Corriente de fuga al cerrar Ir [A] @ U...
Ubr [V] a Ibr [A]: 82V @ 1mA. Ubr [V] a Ibr [A]: 86.1V @ 1mA. Corriente de fuga al cerrar Ir [A] @ Uz [V]: 5uA @ 70.1V. Disipación máxima (pulso) Pp [W] @ t[mseg.]: 1500W @ 1ms. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -50°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +175°C. Estructura dieléctrica: unidireccional. Material semiconductor: silicio. Función: Protección contra la sobrevoltaje. IFSM: 200A. Pd (disipación de potencia, máx.): 1.5 kW. Temperatura de funcionamiento: -50...+175°C. Tensión umbral Vf (máx): 5V. Tensión directa Vf (mín.): 3.5V. VRRM: 82V
Ubr [V] a Ibr [A]: 82V @ 1mA. Ubr [V] a Ibr [A]: 86.1V @ 1mA. Corriente de fuga al cerrar Ir [A] @ Uz [V]: 5uA @ 70.1V. Disipación máxima (pulso) Pp [W] @ t[mseg.]: 1500W @ 1ms. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -50°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +175°C. Estructura dieléctrica: unidireccional. Material semiconductor: silicio. Función: Protección contra la sobrevoltaje. IFSM: 200A. Pd (disipación de potencia, máx.): 1.5 kW. Temperatura de funcionamiento: -50...+175°C. Tensión umbral Vf (máx): 5V. Tensión directa Vf (mín.): 3.5V. VRRM: 82V
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