TLP181. CTR: 100...600 %. Corriente del colector: 50mA. Diodo IF Courant (pico): 1A. Diodo SI: 50mA. Función: GaAs Ired y fototransistor. Ic (pulso): 1A. Marcado en la caja: P181G. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 4. Pd (disipación de potencia, máx.): 150mW. RoHS: sí. Salida: salida de transistor. Spec info: Entrada CA-CC, adaptador de CA, placa de interfaz de E/S. Temperatura de funcionamiento: -55...+100°C. Tensión colector/emisor Vceo: 80V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.2V. Tensión umbral del diodo: 1.15V. Tf (tipo): 3us. Tr: 2us. VECO: 7V. VRRM: 3750V. Vivienda (según ficha técnica): 11-4C1. Vivienda: SO-4. Producto original del fabricante: Toshiba. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 15:50