TLP185GR

TLP185GR. CTR: 100...400 %. Diodo SI: 50mA. Diodo IF Courant (pico): 1A. Tensión umbral del diodo: 1.25V. Función: GaAs Ired y fototransistor. Corriente del colector: 50mA. Ic (pulso): 1A. Marcado en la caja: P185GB. Salida: salida de transistor. Número de terminales: 4. Pd (disipación de potencia, máx.): 150mW. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Tf (tipo): 9us. Vivienda: SO. Vivienda (según ficha técnica): 11-4M1S. Tr: 5us. Temperatura de funcionamiento: -55...+100°C. Tensión de saturación VCE(sat): 0.2V. Tensión colector/emisor Vceo: 80V. VECO: 7V. VRRM: 3750V. Producto original del fabricante Toshiba. Cantidad en stock actualizada el 09/06/2025, 05:25.