Componentes y equipos electrónicos, para empresas y particulares.

TLP504A

TLP504A
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5 - 9 2.67€ 3.23€
10 - 24 2.58€ 3.12€
25 - 38 2.53€ 3.06€
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TLP504A. CTR: 50...600 %. Diodo SI: 60mA. Diodo IF Courant (pico): 1A. Tensión umbral del diodo: 1...1.3V. Función: Controladores programables, Módulo de entrada CA/CC. Corriente del colector: 50mA. Salida: salida de transistor. Pd (disipación de potencia, máx.): 150mW. RoHS: sí. Spec info: GaAs Ired & Photo - Transistor. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tf (tipo): 3us. Vivienda: DIP. Vivienda (según ficha técnica): DIP-8 (11-10C4). Tr: 2us. Temperatura de funcionamiento: -25...+85°C. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 0.4V. Tensión colector/emisor Vceo: 55V. VECO: 7V. Vrms: 2500VAC. Producto original del fabricante Toshiba. Cantidad en stock actualizada el 09/06/2025, 04:25.

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RoHS: sí. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +100°C. CTR: 50...600 %. Diodo SI: 60...
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RoHS: sí. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +100°C. CTR: 50...600 %. Diodo SI: 60mA. Diodo IF Courant (pico): 1.5A. Potencia del diodo: 0.1W. Tensión umbral del diodo: 1.25V. Salida: salida de transistor. Número de terminales: 8:1. Paso: 2.54mm. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tf (tipo): 4.7us. Vivienda: DIP. Vivienda (según ficha técnica): DIP-8. Tr: 3us. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 0.3V. Tensión colector/emisor Vceo: 70V. VECO: 7V. Vrms: 5000V
CNY74-2H
RoHS: sí. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +100°C. CTR: 50...600 %. Diodo SI: 60mA. Diodo IF Courant (pico): 1.5A. Potencia del diodo: 0.1W. Tensión umbral del diodo: 1.25V. Salida: salida de transistor. Número de terminales: 8:1. Paso: 2.54mm. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tf (tipo): 4.7us. Vivienda: DIP. Vivienda (según ficha técnica): DIP-8. Tr: 3us. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 0.3V. Tensión colector/emisor Vceo: 70V. VECO: 7V. Vrms: 5000V
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