Componentes y equipos electrónicos, para empresas y particulares.

TLP731

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TLP731. CTR: 50...600 %. Diodo SI: 60mA. Diodo IF Courant (pico): 1A. Potencia del diodo: 0.1W. Tensión umbral del diodo: 1.15V. Corriente del colector: 50mA. Salida: salida de transistor con base. Número de terminales: 6. Paso: 7.62mm. Pd (disipación de potencia, máx.): 150mW. RoHS: sí. Paso: 7.56mm. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tf (tipo): 3us. Vivienda: DIP. Vivienda (según ficha técnica): DIP-6. Tr: 2us. Temperatura de funcionamiento: -55...+100°C. Vcbo: 80V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.2V. Tensión colector/emisor Vceo: 55V. Velocidad: 7V. VECO: 7V. VRRM: 4 kV. Producto original del fabricante Toshiba. Cantidad en stock actualizada el 12/05/2025, 15:25.

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CTR: 100 %. Diodo SI: 60mA. Tensión umbral del diodo: 1.2V. Corriente del colector: 100mA. Salida: salida de transistor con base. Número de terminales: 6. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Vivienda: DIP. Vivienda (según ficha técnica): DIP-6. Temperatura de funcionamiento: -55...+100°C. Vcbo: 70V. Tensión colector/emisor Vceo: 30 v. VRRM: 5300V. Corriente de entrada nominal (mA): 10mA. Tiempo de encendido tr [µseg.]: 10us. Retardo de desconexión tf [µseg.]: 10us. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +100°C
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CTR: 100 %. Diodo SI: 60mA. Tensión umbral del diodo: 1.2V. Corriente del colector: 100mA. Salida: salida de transistor con base. Número de terminales: 6. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Vivienda: DIP. Vivienda (según ficha técnica): DIP-6. Temperatura de funcionamiento: -55...+100°C. Vcbo: 70V. Tensión colector/emisor Vceo: 30 v. VRRM: 5300V. Corriente de entrada nominal (mA): 10mA. Tiempo de encendido tr [µseg.]: 10us. Retardo de desconexión tf [µseg.]: 10us. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +100°C
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