1N4148, DO-35 ( SOD27 ), 75V, 0.2A, 200mA, 0.3A, 500mA, DO-35. Vivienda: DO-35 ( SOD27 ). Vivienda (norma JEDEC): -. VRRM: 75V. Corriente rectificada promedio por diodo: 0.2A. Corriente directa (AV): 200mA. Corriente directa [A]: 0.3A. IFSM: 500mA. Vivienda (según ficha técnica): DO-35. Cantidad por caja: 1. Capacitancia: 4pF. Cj: 4pF. Configuración de diodo: independiente. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Corriente de conducción: 200mA. Corriente de fuga al cerrar Ir [A]: 25nA..5uA. Corriente de fuga inversa: 5uA / 75V. Corriente de pulso Máx.: 1A. Diodo Trr (Mín.): 4 ns. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Estructura semiconductora: diodo. Familia de componentes: Diodo de silicio de pequeña señal. Función: Diodos de alta velocidad. Ifsm [A]: 2A. Información: -. MSL: -. Marcado del fabricante: 1N4148. Material semiconductor: silicio. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 2. Número de terminales: 2. Otro nombre: IN4148. Potencia: 0.5W. Resonancia magnética (máx.): 50uA. Resonancia magnética (mín.): 25nA. RoHS: sí. Serie: 1N4148. Spec info: Ifsm--1us 4A, 1ms 1A, 1s 0.5A. Temperatura de funcionamiento: -65...+200°C. Temperatura máxima: +150°C.. Tensión de cierre (repetitiva) Vrrm [V]: 100V. Tensión directa Vf (mín.): 1V. Tensión umbral Vf (máx): 1V. Tensión umbral: 1V. Tiempo de reacción: 4ns. Tiempo de recuperación inversa (máx.): 4ns. Tipo de diodo: diodo de conmutación. Tipo de montaje: THT. Tipo de semiconductor: diodo. Velocidad de conmutación (tiempo de regeneración) tr [seg.]: 4 ns. Voltaje de conducción (voltaje umbral): 1V. Voltaje directo (máx.): <1.0V / 0.01A. Voltaje inverso máximo: 75V. [V]: 1V @ 10mA. Producto original del fabricante: Div. Cantidad mínima: 25. Cantidad en stock actualizada el 23/11/2025, 12:29