Diodos estándar y rectificadores

Corriente directa (AV): 0.8A. VRRM: 400V. Material semiconductor: silicio

Corriente directa (AV): 10A. IFSM: 400A. Vivienda: R-6. Vivienda (según ficha técnica): R-6 ( 8.9x8.8mm ). VRRM: 1000V. Cj: 120pF. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Diodo Trr (Mín.): 1500 ns. Material semiconductor: silicio. Resonancia magnética (máx.): 100uA. Resonancia magnética (mín.): 10uA. Marcado en la caja: 28.7k Ohms. Equivalentes: P1000M, 10A07-TP. Número de terminales: 2. RoHS: sí. Spec info: IFSM--400Ap t=8.3ms. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión umbral Vf (máx): 1V. Tensión directa Vf (mín.): 1V

Corriente directa (AV): 12A. IFSM: 330A. Vivienda: D-PAK ( TO-252 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). VRRM: 100V. Cj: 183pF. Cantidad por caja: 2. Estructura dieléctrica: cátodo común. Material semiconductor: Sb. Función: Diodo rectificador Schottky. Equivalentes: VS-12CWQ06FN-M3, VS-12CWQ06FNTR-M3. Número de terminales: 2. RoHS: sí. Spec info: Ifsm--2x165A (t=5us), Vf max--0.65V. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión umbral Vf (máx): 0.95V. Tensión directa Vf (mín.): 0.85V

Corriente directa (AV): 150A. IFSM: 1600A. Vivienda (según ficha técnica): POWERTAB. VRRM: 200V. Cj: 180pF. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Diodo Trr (Mín.): 45 ns. Utilizado para: también se puede usar para sistemas de paneles solares. Material semiconductor: silicio. Función: Diodo de recuperación suave ultrarrápido. Número de terminales: 2. RoHS: sí. Spec info: IFSM--1600Ap (Tc--25). Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.13V. Tensión directa Vf (mín.): 0.99V

Corriente directa (AV): 150A. IFSM: 1500A. Vivienda (según ficha técnica): POWERTAB. VRRM: 400V. Cj: 100pF. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Diodo Trr (Mín.): 60 ns. Utilizado para: también se puede usar para sistemas de paneles solares. Material semiconductor: silicio. Función: Diodo de recuperación suave ultrarrápido. Número de terminales: 2. RoHS: sí. Spec info: Ifsm 1500Ap (25°C). Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.3V. Tensión directa Vf (mín.): 1.07V

Corriente directa (AV): 19A. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. VRRM: 15V. Material semiconductor: Sb. Nota: Vfm 0.36V/19A. Nota: 700App/5us, 330App/10ms. ¿Diodo Schottky?: choco. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C

VRRM: 50V. Corriente rectificada promedio por diodo: 1A. Tipo de diodo: diodo rectificador. Configuración de diodo: independiente. Voltaje directo (máx.): <1.1V / 1A. Tipo de montaje: THT. Tiempo de recuperación inversa (máx.): 1500ns. Serie: 1N40

VRRM: 100V. Vivienda: DO-41. Corriente directa (AV): 1A. IFSM: 30A. Vivienda (según ficha técnica): DO-41 ( DO-204AL ). Tensión directa Vf (mín.): 1.1V. RoHS: sí. Cj: 15pF. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Material semiconductor: silicio. Número de terminales: 2. Spec info: IFSM--30Ap t=8.3mS. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -65...+175°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.1V

Corriente directa (AV): 1A. IFSM: 30A. Vivienda: DO-41. Vivienda (según ficha técnica): DO-41 ( DO-204AL ). VRRM: 200V. Cj: 15pF. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Material semiconductor: silicio. Número de terminales: 2. RoHS: sí. Spec info: IFSM--30Ap t=8.3mS. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -65...+175°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.1V. Tensión directa Vf (mín.): 1.1V

Vivienda: DO-41. Corriente directa (AV): 1A. IFSM: 30A. Vivienda (según ficha técnica): DO-41 ( DO-204AL ). VRRM: 400V. RoHS: sí. Cj: 15pF. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Material semiconductor: silicio. Número de terminales: 2. Spec info: IFSM--30Ap t=8.3mS. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -65...+175°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.1V. Tensión directa Vf (mín.): 1.1V

Corriente directa (AV): 1A. IFSM: 30A. Vivienda: DO-41. Vivienda (según ficha técnica): DO-41 ( 5.2X2.7mm ). VRRM: 600V. Cj: 15pF. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Material semiconductor: silicio. Número de terminales: 2. RoHS: sí. Spec info: Ifms 300Ap t=8.3ms. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -65...+175°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.1V. Tensión directa Vf (mín.): 1.1V

Vivienda: DO35. VRRM: 100V. Corriente rectificada promedio por diodo: 0.2A. Tipo de diodo: Switching. Configuración de diodo: independiente. Voltaje directo (máx.): <1.0V / 0.01A. Tipo de montaje: THT. Corriente de fuga inversa: 5uA / 75V. Tiempo de recuperación inversa (máx.): 4ns. Serie: 1N4148

Corriente directa (AV): 150mA. IFSM: 300mA. Vivienda: SOD-323. Vivienda (según ficha técnica): SOD-323F. VRRM: 100V. Cj: 2pF. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Diodo Trr (Mín.): 4 ns. Material semiconductor: silicio. Función: Diodos de alta velocidad. Otro nombre: IN4148. Resonancia magnética (máx.): 1uA. Resonancia magnética (mín.): 25nA. Número de terminales: 2. Dimensiones: 1,7x1,25x1mm. RoHS: sí. Spec info: Ifsm--1us 1A, 1s 0.35A. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.25V. Tensión directa Vf (mín.): 0.715V

VRRM: 100V. Corriente rectificada promedio por diodo: 0.125A. Tipo de diodo: Switching. Configuración de diodo: independiente. Tipo de montaje: SMD. Tiempo de recuperación inversa (máx.): 4ns. Serie: 1N4148

Corriente directa (AV): 500mA. IFSM: 1A. Vivienda: DO-35 ( SOD27 ). Vivienda (según ficha técnica): DO-35. VRRM: 100V. Diodo Trr (Mín.): 4 ns. Material semiconductor: silicio. Resonancia magnética (máx.): 50uA. Resonancia magnética (mín.): 25nA. Número de terminales: 2. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -50...+175°C. Tensión umbral Vf (máx): 1V

Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: DO-35. Corriente directa [A]: 0.5A. RoHS: sí. Familia de componentes: Diodo de silicio de pequeña señal. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 2. Ifsm [A]: 4A. Tensión directa Vfmax (V): 1V @ 10mA. Tensión de cierre (repetitiva) Vrrm [V]: 100V. Corriente de fuga al cerrar Ir [A]: 25nA..50uA. Velocidad de conmutación (tiempo de regeneración) tr [seg.]: 4 ns. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -65°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +175°C

Corriente directa (AV): 0.3A. IFSM: 4A. Vivienda: DO-35 ( SOD27 ). Vivienda (según ficha técnica): DO-35. VRRM: 50V. Material semiconductor: silicio. Función: Fast Switching Diodes, Ifsm--1us, 4A. Número de terminales: 2. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -50...+200°C

Corriente directa (AV): 0.2A. IFSM: 2A. Vivienda: DO-35 ( SOD27 ). Vivienda (según ficha técnica): DO-35. VRRM: 75V. Diodo Trr (Mín.): 2 ns. Material semiconductor: silicio. Función: diodo de conmutación ultrarrápido, Ifsm 1us 2A. Resonancia magnética (máx.): 50nA. Número de terminales: 2. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -50...+200°C. Tensión directa Vf (mín.): 1V

VRRM: 100V. Corriente directa (AV): 0.15A. IFSM: 0.45A. Vivienda: DO-35 ( SOD27 ). Vivienda (según ficha técnica): DO-35. RoHS: sí. Tensión umbral Vf (máx): 1V. Cj: 4pF. Diodo Trr (Mín.): 4 ns. Material semiconductor: silicio. Resonancia magnética (máx.): 5uA. Resonancia magnética (mín.): 25nA. Número de terminales: 2. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.5W. Spec info: Ifsm--2A, Pluse width = 1uS. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -65...+150°C

Corriente directa (AV): 1A. IFSM: 30A. Vivienda: DO-41. Vivienda (según ficha técnica): DO41. VRRM: 200V. Cj: 15pF. Diodo Trr (Mín.): 150 ns. Material semiconductor: silicio. Función: Conmutación rápida para alta eficiencia. Resonancia magnética (máx.): 100uA. Resonancia magnética (mín.): 5uA. RoHS: sí. Spec info: 30App/8.3ms. Temperatura de funcionamiento: -65...+150°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.3V

Corriente directa (AV): 2A. IFSM: 50A. Vivienda: DO-15. Vivienda (según ficha técnica): DO-15 ( DO-204AC ) 6.35x3.0mm. VRRM: 800V. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Material semiconductor: silicio. Función: Silicon Rectifier. Resonancia magnética (máx.): uA. Resonancia magnética (mín.): 5uA. Número de terminales: 2. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -50...+150°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.1V. Tensión directa Vf (mín.): 1.1V

Corriente directa (AV): 3.3mA. Vivienda: DO-35 ( SOD27 ). Vivienda (según ficha técnica): DO-35. VRRM: 100V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. Función: diodo. Nota: diodo túnel. Número de terminales: 2. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB

Corriente directa (AV): 1.5A. IFSM: 50A. Vivienda: DO-15. Vivienda (según ficha técnica): DO-15 ( 3.3x6.4mm ). VRRM: 300V. Cj: 20pF. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Material semiconductor: silicio. Función: alta capacidad de corriente, baja caída de voltaje directo. Número de terminales: 2. RoHS: sí. Spec info: IFSM--50Ap. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -65...+150°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.1V. Tensión directa Vf (mín.): 1.1V

Corriente directa (AV): 1.5A. IFSM: 50A. Vivienda: DO-15. Vivienda (según ficha técnica): DO-15 ( 3.3x6.4mm ). VRRM: 500V. Cj: 20pF. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Material semiconductor: silicio. Función: alta capacidad de corriente, baja caída de voltaje directo. Resonancia magnética (máx.): 50uA. Resonancia magnética (mín.): 5uA. Número de terminales: 2. RoHS: sí. Spec info: IFSM--50Ap, t=8.3mS. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -65...+150°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.1V. Tensión directa Vf (mín.): 1.1V

Corriente directa (AV): 1.5A. IFSM: 50A. Vivienda: DO-15. Vivienda (según ficha técnica): DO-15 ( 3.3x6.4mm ). VRRM: 1000V. Cj: 20pF. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Material semiconductor: silicio. Función: alta capacidad de corriente, baja caída de voltaje directo. Resonancia magnética (máx.): 50uA. Resonancia magnética (mín.): 5uA. Número de terminales: 2. RoHS: sí. Spec info: IFSM--50Ap, t=8.3mS. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -65...+150°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.1V. Tensión directa Vf (mín.): 1.1V