1N4448, DO-35 ( SOD27 ), 0.15A, 0.45A, 0.3A, DO-35, 100V. Vivienda: DO-35 ( SOD27 ). Corriente directa (AV): 0.15A. Vivienda (norma JEDEC): -. IFSM: 0.45A. Corriente directa [A]: 0.3A. Vivienda (según ficha técnica): DO-35. VRRM: 100V. Cj: 4pF. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Corriente de fuga al cerrar Ir [A]: 25nA..5uA. Diodo Trr (Mín.): 4 ns. Familia de componentes: Diodo de silicio de pequeña señal. Ifsm [A]: 2A. Material semiconductor: silicio. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 2. Número de terminales: 2. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.5W. Resonancia magnética (máx.): 5uA. Resonancia magnética (mín.): 25nA. RoHS: sí. Spec info: Ifsm--2A, Pluse width = 1uS. Temperatura de funcionamiento: -65...+150°C. Temperatura máxima: +150°C.. Tensión de cierre (repetitiva) Vrrm [V]: 100V. Tensión umbral Vf (máx): 1V. Velocidad de conmutación (tiempo de regeneración) tr [seg.]: 4 ns. [V]: 0.7V @ 5mA. Producto original del fabricante: Taiwan Semiconductor. Cantidad mínima: 10. Cantidad en stock actualizada el 14/12/2025, 01:04