1N4448GEG, DO35. Vivienda: DO35. Corriente de pulso Máx.: 4A. Embalaje: Ammo Pack. Estructura semiconductora: diodo. Montaje/instalación: THT. Potencia: 0.5W. Propiedades del semiconductor: conmutación súper rápida. RoHS: no. Tensión umbral: 1V. Tiempo de reacción: 4ns. Tipo de diodo: diodo de conmutación. Tipo de semiconductor: diodo. Voltaje de conducción (voltaje umbral): 1V. Voltaje inverso máximo: 100V. Producto original del fabricante: DC Components. Cantidad en stock actualizada el 12/11/2025, 16:24