1N5402, DO-27, 200V, 3A, 3A, 200A, 3A, DO-27 ( 9.2x5.2mm ). Vivienda: DO-27. Vivienda (norma JEDEC): -. VRRM: 200V. Corriente directa (AV): 3A. Corriente rectificada promedio por diodo: 3A. IFSM: 200A. Corriente directa [A]: 3A. Vivienda (según ficha técnica): DO-27 ( 9.2x5.2mm ). Acondicionamiento: Ammo Pack. Cantidad por caja: 1. Cj: 40pF. Configuración de diodo: independiente. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Corriente de conducción: 3A. Corriente de fuga al cerrar Ir [A]: 10uA. Corriente de fuga inversa: <5uA / 200V. Corriente de pulso Máx.: 200A. Diodo Trr (Mín.): 5us. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Estructura semiconductora: diodo. Familia de componentes: Diodo rectificador estándar. Ifsm [A]: 200A. Información: -. MSL: -. Material semiconductor: silicio. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Nota: GI. Número de terminales: 2. Número de terminales: 2. Resonancia magnética (máx.): 500uA. Resonancia magnética (mín.): 5uA. RoHS: sí. Serie: 1N54. Spec info: IFSM--200Ap t=8.3ms. Temperatura de funcionamiento: -65...+175°C. Temperatura máxima: +175°C.. Tensión de cierre (repetitiva) Vrrm [V]: 200V. Tensión directa Vf (mín.): 1.1V. Tensión umbral Vf (máx): 1.1V. Tensión umbral: 1.2V, 1.1V. Tiempo de recuperación inversa (máx.): 1500ns. Tipo de diodo: diodo rectificador. Tipo de montaje: THT. Velocidad de conmutación (tiempo de regeneración) tr [seg.]: -. Voltaje de conducción (voltaje umbral): 1.1V. Voltaje directo (máx.): <1.2V / 3A. Voltaje inverso máximo: 200V. [V]: 1.2V @ 3A. Producto original del fabricante: Dc Components Co. Cantidad mínima: 10. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 14:24