1N5406H, 3A, 200A, DO-27, DO-27 ( 9.2x5.2mm ), 600V

1N5406H, 3A, 200A, DO-27, DO-27 ( 9.2x5.2mm ), 600V

Cantidad
Precio unitario
10-49
0.0630€
50-99
0.0532€
100-199
0.0467€
200+
0.0399€
Cantidad en inventario: 278
Mín.: 10

1N5406H, 3A, 200A, DO-27, DO-27 ( 9.2x5.2mm ), 600V. Corriente directa (AV): 3A. IFSM: 200A. Vivienda: DO-27. Vivienda (según ficha técnica): DO-27 ( 9.2x5.2mm ). VRRM: 600V. Cantidad por caja: 1. Cj: 40pF. Diodo Trr (Mín.): 5us. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Material semiconductor: silicio. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Nota: distancia entre centros 15 mm. Número de terminales: 2. Resonancia magnética (máx.): 500uA. Resonancia magnética (mín.): 5uA. RoHS: sí. Spec info: IFSM--200Ap t=8.3ms. Temperatura de funcionamiento: -65...+175°C. Tensión directa Vf (mín.): 1.1V. Tensión umbral Vf (máx): 1.1V. Producto original del fabricante: Dc Components Co. Cantidad mínima: 10. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 14:24

Documentación técnica (PDF)
1N5406H
22 parámetros
Corriente directa (AV)
3A
IFSM
200A
Vivienda
DO-27
Vivienda (según ficha técnica)
DO-27 ( 9.2x5.2mm )
VRRM
600V
Cantidad por caja
1
Cj
40pF
Diodo Trr (Mín.)
5us
Estructura dieléctrica
Ánodo-Cátodo
Material semiconductor
silicio
Montaje/instalación
Montaje mediante orificio pasante en PCB
Nota
distancia entre centros 15 mm
Número de terminales
2
Resonancia magnética (máx.)
500uA
Resonancia magnética (mín.)
5uA
RoHS
Spec info
IFSM--200Ap t=8.3ms
Temperatura de funcionamiento
-65...+175°C
Tensión directa Vf (mín.)
1.1V
Tensión umbral Vf (máx)
1.1V
Producto original del fabricante
Dc Components Co
Cantidad mínima
10