30BQ100, 3A, 800A (tp=5us), 70A (tp=10ms), DO-214, SMC (8,1x6,2x2,6mm), 100V
Cantidad
Precio unitario
1-4
0.42€
5-49
0.36€
50-99
0.31€
100-199
0.27€
200+
0.22€
| Cantidad en inventario: 3490 |
30BQ100, 3A, 800A (tp=5us), 70A (tp=10ms), DO-214, SMC (8,1x6,2x2,6mm), 100V. Corriente directa (AV): 3A. IFSM: 800A (tp=5us), 70A (tp=10ms). Vivienda: DO-214. Vivienda (según ficha técnica): SMC (8,1x6,2x2,6mm). VRRM: 100V. Cantidad por caja: 1. Cj: 115pF. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Marcado en la caja: 3J. Material semiconductor: Sb. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 2. Resonancia magnética (máx.): 5mA. Resonancia magnética (mín.): 0.5mA. RoHS: sí. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión directa Vf (mín.): 0.62V. Tensión umbral Vf (máx): 0,96 V. Producto original del fabricante: Vishay. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 12:18
30BQ100
19 parámetros
Corriente directa (AV)
3A
IFSM
800A (tp=5us), 70A (tp=10ms)
Vivienda
DO-214
Vivienda (según ficha técnica)
SMC (8,1x6,2x2,6mm)
VRRM
100V
Cantidad por caja
1
Cj
115pF
Estructura dieléctrica
Ánodo-Cátodo
Marcado en la caja
3J
Material semiconductor
Sb
Montaje/instalación
componente montado en superficie (SMD)
Número de terminales
2
Resonancia magnética (máx.)
5mA
Resonancia magnética (mín.)
0.5mA
RoHS
sí
Temperatura de funcionamiento
-55...+175°C
Tensión directa Vf (mín.)
0.62V
Tensión umbral Vf (máx)
0,96 V
Producto original del fabricante
Vishay