Componentes y equipos electrónicos, para empresas y particulares.

6N136M

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6N136M. Velocidad de transmisión: 1 MBit/s. CTR: 19...50 %. Diodo SI: 25mA. Diodo IF Courant (pico): 50mA. Potencia del diodo: 0.1W. Tensión umbral del diodo: 1.45V. Corriente del colector: 8mA. Ic (pulso): 16mA. Salida: salida de transistor. Número de terminales: 8:1. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.1W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Vivienda: DIP. Vivienda (según ficha técnica): DIP-8. Temperatura de funcionamiento: -55...+100°C. VECO: 30 v. VRRM: 2500V. Spec info: High speed, 1MBit/s. Cantidad en stock actualizada el 19/04/2025, 17:25.

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6N136

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Velocidad de transmisión: 1 MBit/s. CTR: 19...50 %. Diodo SI: 25mA. Diodo IF Courant (pico): 50mA. ...
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Velocidad de transmisión: 1 MBit/s. CTR: 19...50 %. Diodo SI: 25mA. Diodo IF Courant (pico): 50mA. Potencia del diodo: 0.1W. Tensión umbral del diodo: 1.45V. Corriente del colector: 8mA. Ic (pulso): 16mA. Salida: salida de transistor. Número de terminales: 8:1. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.1W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Vivienda: DIP. Vivienda (según ficha técnica): DIP-8. Temperatura de funcionamiento: -55...+100°C. VECO: 30 v. VRRM: 2500V. Spec info: High speed, 1MBit/s
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Velocidad de transmisión: 1 MBit/s. CTR: 19...50 %. Diodo SI: 25mA. Diodo IF Courant (pico): 50mA. Potencia del diodo: 0.1W. Tensión umbral del diodo: 1.45V. Corriente del colector: 8mA. Ic (pulso): 16mA. Salida: salida de transistor. Número de terminales: 8:1. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.1W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Vivienda: DIP. Vivienda (según ficha técnica): DIP-8. Temperatura de funcionamiento: -55...+100°C. VECO: 30 v. VRRM: 2500V. Spec info: High speed, 1MBit/s
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6N136-F

6N136-F

Velocidad de transmisión: 1 MBit/s. CTR: 19...24 %. Diodo SI: 25mA. Diodo IF Courant (pico): 50mA. ...
6N136-F
Velocidad de transmisión: 1 MBit/s. CTR: 19...24 %. Diodo SI: 25mA. Diodo IF Courant (pico): 50mA. Potencia del diodo: 45mW. Tensión umbral del diodo: 1.45V. Corriente del colector: 8mA. Ic (pulso): 16mA. Salida: salida de transistor. Número de terminales: 8:1. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.1W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Vivienda: DIP. Vivienda (según ficha técnica): DIP-8. Temperatura de funcionamiento: -55...+100°C. VCC: 15V. VRRM: 2500V. Spec info: High speed, 1MBit/s
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Velocidad de transmisión: 1 MBit/s. CTR: 19...24 %. Diodo SI: 25mA. Diodo IF Courant (pico): 50mA. Potencia del diodo: 45mW. Tensión umbral del diodo: 1.45V. Corriente del colector: 8mA. Ic (pulso): 16mA. Salida: salida de transistor. Número de terminales: 8:1. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.1W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Vivienda: DIP. Vivienda (según ficha técnica): DIP-8. Temperatura de funcionamiento: -55...+100°C. VCC: 15V. VRRM: 2500V. Spec info: High speed, 1MBit/s
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