893-399016AB, 2A, 50A, DO-204, DO-204AP, 50V

893-399016AB, 2A, 50A, DO-204, DO-204AP, 50V

Cantidad
Precio unitario
1-4
0.51€
5-24
0.48€
25-49
0.46€
50+
0.44€
Equivalencia disponible
Cantidad en inventario: 5

893-399016AB, 2A, 50A, DO-204, DO-204AP, 50V. Corriente directa (AV): 2A. IFSM: 50A. Vivienda: DO-204. Vivienda (según ficha técnica): DO-204AP. VRRM: 50V. Cantidad por caja: 1. Cj: 15pF. Diodo Trr (Mín.): 150 ns. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Función: GLASS PASSIVATED FAST SWITCHING RECTIFIER. Marcado en la caja: RG2A. Material semiconductor: silicio. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Nota: SAMSUNG. Número de terminales: 2. Resonancia magnética (máx.): 5uA. Resonancia magnética (mín.): 1uA. RoHS: sí. Spec info: IFMS 50Ap. Temperatura de funcionamiento: -65...+175°C. Tensión directa Vf (mín.): 1.3V. Tensión umbral Vf (máx): 1.3V. Producto original del fabricante: General Semiconductor. Cantidad en stock actualizada el 12/11/2025, 22:14

893-399016AB
23 parámetros
Corriente directa (AV)
2A
IFSM
50A
Vivienda
DO-204
Vivienda (según ficha técnica)
DO-204AP
VRRM
50V
Cantidad por caja
1
Cj
15pF
Diodo Trr (Mín.)
150 ns
Estructura dieléctrica
Ánodo-Cátodo
Función
GLASS PASSIVATED FAST SWITCHING RECTIFIER
Marcado en la caja
RG2A
Material semiconductor
silicio
Montaje/instalación
Montaje mediante orificio pasante en PCB
Nota
SAMSUNG
Número de terminales
2
Resonancia magnética (máx.)
5uA
Resonancia magnética (mín.)
1uA
RoHS
Spec info
IFMS 50Ap
Temperatura de funcionamiento
-65...+175°C
Tensión directa Vf (mín.)
1.3V
Tensión umbral Vf (máx)
1.3V
Producto original del fabricante
General Semiconductor

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