B1000D, 1A, 1000V. Corriente directa (AV): 1A. VRRM: 1000V. Cantidad por caja: 4. Cj: 25pF. Estructura dieléctrica: Puente de diodos. IFSM: 50A. Material semiconductor: silicio. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 4. Paso: 5.08mm. Resonancia magnética (máx.): 500uA. Resonancia magnética (mín.): 10uA. RoHS: sí. Spec info: IFSM--50Ap. Temperatura de funcionamiento: -65...+150°C. Tensión directa Vf (mín.): 1.1V. Tensión umbral Vf (máx): 1.1V. Vivienda (según ficha técnica): DIP-4. Vivienda: DIP. Producto original del fabricante: Dc Components Co. Cantidad en stock actualizada el 12/11/2025, 20:33