Puentes rectificadores de diodos

VRRM: 600V. Corriente directa (AV): 2A. Estructura dieléctrica: Puente de diodos. Material semiconductor: silicio. Función: Single Phase 2 AMPS. IFSM: 50A. Marcado en la caja: 2W06. Paso: 5.6x5.6mm. Dimensiones: 10mm de diámetro. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -55...+125°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.1V. Tensión directa Vf (mín.): 1.1V. Cantidad por caja: 4. Número de terminales: 4. Spec info: IFSM--50A (50-60Hz, t=8.3mS)

VRRM: 1000V. Corriente directa (AV): 2A. Cantidad por caja: 4. Estructura dieléctrica: Puente de diodos. Material semiconductor: silicio. Función: Single Phase 2 AMPS. IFSM: 60A. Nota: diámetro 10 mm. Resonancia magnética (máx.): 500uA. Resonancia magnética (mín.): 10uA. Marcado en la caja: 2W10. Número de terminales: 4. Paso: 5.6x5.6mm. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -55...+125°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.1V. Tensión directa Vf (mín.): 1.1V. Spec info: IFSM--50A (50-60Hz, t=8.3mS)

Corriente nominal [A]: 1A. Tensión de pico Urrm [V]: 1000V. Corriente máxima Ifsm [A]: 27A. RoHS: sí. Familia de componentes: Puente de diodos (Graetz). Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: ABS. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 4. Tensión umbral Uf [V]: 1.1V. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -50°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

VRRM: 400V. Corriente directa (AV): 1.6...2A. Estructura dieléctrica: Puente de diodos. Material semiconductor: silicio. Función: Puente rectificador. IFSM: 50A. Resonancia magnética (máx.): 500uA. Resonancia magnética (mín.): 5uA. Número de terminales: 4. Paso: 5.08mm. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Vivienda: SMD. Vivienda (según ficha técnica): SMD-4. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.1V. Tensión directa Vf (mín.): 0.95V. Spec info: IFSM--50A (50Hz 10ms)

VRRM: 600V. Corriente directa (AV): 1.6...2A. Estructura dieléctrica: Puente de diodos. Material semiconductor: silicio. Función: Puente rectificador. IFSM: 50A. Resonancia magnética (máx.): 500uA. Resonancia magnética (mín.): 5uA. Paso: 5.08mm. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Vivienda: SMD. Vivienda (según ficha técnica): SMD-4. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.1V. Tensión directa Vf (mín.): 0.95V. Número de terminales: 4. Spec info: IFSM--50A (50Hz 10ms)

VRRM: 800V. Corriente directa (AV): 1.6...2A. Estructura dieléctrica: Puente de diodos. Material semiconductor: silicio. Función: Puente rectificador. IFSM: 50A. Resonancia magnética (máx.): 500uA. Resonancia magnética (mín.): 5uA. Paso: 5.08mm. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Vivienda: SMD. Vivienda (según ficha técnica): SMD-4. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.1V. Tensión directa Vf (mín.): 0.95V. Número de terminales: 4. Spec info: IFSM--50A (50Hz 10ms)

VRRM: 1000V. Corriente directa (AV): 1.6...2A. Estructura dieléctrica: Puente de diodos. Material semiconductor: silicio. Función: Puente rectificador. IFSM: 50A. Resonancia magnética (máx.): 500uA. Resonancia magnética (mín.): 5uA. Número de terminales: 4. Paso: 5.08mm. RoHS: sí. Spec info: IFSM--50A (50Hz 10ms). Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Vivienda: SMD. Vivienda (según ficha técnica): SMD-4. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.1V. Tensión directa Vf (mín.): 0.95V

Corriente nominal [A]: 1A. Tensión de pico Urrm [V]: 400V. Corriente máxima Ifsm [A]: 27A. RoHS: sí. Familia de componentes: Puente de diodos (Graetz). Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: ABS. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 4. Tensión umbral Uf [V]: 1.1V. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -50°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

VRRM: 1000V. Corriente directa (AV): 35A. IFSM: 400A. Resonancia magnética (máx.): 500uA. Resonancia magnética (mín.): 10uA. Dimensiones: 28x28mm. RoHS: sí. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.1V. Tensión directa Vf (mín.): 1.1V

Corriente nominal [A]: 35A. Tensión de pico Urrm [V]: 1.6 kV. Corriente máxima Ifsm [A]: 300A. RoHS: sí. Familia de componentes: Puente de diodos (Graetz). Vivienda: 28.6x28.6x7.3mm. Número de terminales: 4. Tensión umbral Uf [V]: 1.1V. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -50°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C. Configuración: conexión por terminales faston

Corriente nominal [A]: 35A. Tensión de pico Urrm [V]: 1.6 kV. Corriente máxima Ifsm [A]: 300A. RoHS: sí. Familia de componentes: Puente de diodos (Graetz). Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: 28.6x28.6x7.3mm. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 4. Tensión umbral Uf [V]: 1.1V. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -50°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

VRRM: 1000V. Corriente directa (AV): 6A. Cj: 50pF. Cantidad por caja: 4. Estructura dieléctrica: Puente de diodos. Material semiconductor: silicio. IFSM: 158A. Resonancia magnética (mín.): 5uA. Equivalentes: KBU607G, KBU610, GBU6M-E3/45, GBU607C2. Dimensiones de las conexiones: 5.08x5.08mm. Número de terminales: 4. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Vivienda (según ficha técnica): 21.5x18.3x3.4mm. Temperatura de funcionamiento: -50...+150°C. Tensión umbral Vf (máx): 1V. Tensión directa Vf (mín.): 1V. Spec info: Ifsm 158A (50Hz 10ms), 175A (60Hz 8.3ms)

VRRM: 1000V. Corriente directa (AV): 1A. Cj: 25pF. Cantidad por caja: 4. Estructura dieléctrica: Puente de diodos. Material semiconductor: silicio. IFSM: 50A. Resonancia magnética (máx.): 500uA. Resonancia magnética (mín.): 10uA. Número de terminales: 4. Paso: 5.08mm. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Vivienda: DIP. Vivienda (según ficha técnica): DIP-4. Temperatura de funcionamiento: -65...+150°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.1V. Tensión directa Vf (mín.): 1.1V. Spec info: IFSM--50Ap

VRRM: 1000V. Corriente directa (AV): 1.5A. Cantidad por caja: 4. Estructura dieléctrica: Puente de diodos. Material semiconductor: silicio. IFSM: 50A. Resonancia magnética (máx.): 500uA. Resonancia magnética (mín.): 5uA. Número de terminales: 4. Paso: 5.2mm. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Vivienda: SMD. Vivienda (según ficha técnica): SMD-4. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.1V. Tensión directa Vf (mín.): 1.1V

Corriente nominal [A]: 1A. Tensión de pico Urrm [V]: 250V. Corriente máxima Ifsm [A]: 45A. RoHS: sí. Familia de componentes: Puente de diodos (Graetz). Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: 8.3x6.4x2.5mm. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 4. Tensión umbral Uf [V]: 1.1V. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -50°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

VRRM: 1600V. Corriente directa (AV): 40A. Estructura dieléctrica: Puente de diodos. Función: puente rectificador trifásico. IFSM: 370A. Resonancia magnética (máx.): 1500uA. Resonancia magnética (mín.): 5uA. Dimensiones de las conexiones: 4x7.5mm. Dimensiones: 35x25x4mm. RoHS: sí. Peso: 9g. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -50...+150°C. Tensión directa Vf (mín.): 1.05V. Número de terminales: 5

VRRM: 1600V. Corriente directa (AV): 83A. Estructura dieléctrica: Puente de diodos. Función: puente rectificador trifásico. IFSM: 530A. Resonancia magnética (máx.): 3mA. Resonancia magnética (mín.): 0.5mA. Dimensiones de las conexiones: 0.75x12.3mm. Número de terminales: 5. Dimensiones: 47x30x8mm. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Vivienda (según ficha técnica): ECO-PAC 1. Temperatura de funcionamiento: -40...+150°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.5V. Tensión directa Vf (mín.): 1.5V. Spec info: IFSM--45° t=10ms (50Hz) 530A, t=8.3ms (60Hz) 570A

Vrms: 250V. VRRM: 600V. Corriente directa (AV): 2.3A. Estructura dieléctrica: Puente de diodos. Material semiconductor: silicio. Función: Rectificador de red de 230 V. IFSM: 50A. Número de terminales: 4. Paso: 5.08mm. Dimensiones: 19x10x3.5mm. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Vivienda: SIP / SIL. Temperatura de funcionamiento: -50...+150°C

Corriente nominal [A]: 2.3A/1.5A. Tensión de pico Urrm [V]: 600V. Corriente máxima Ifsm [A]: 50A. RoHS: sí. Familia de componentes: Puente de diodos (Graetz). Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: SIL (19x3.5x10mm). Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 4. Tensión umbral Uf [V]: 0.85V. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -50°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Corriente nominal [A]: 2.3A/1.5A. Tensión de pico Urrm [V]: 600V. Corriente máxima Ifsm [A]: 50A. RoHS: sí. Familia de componentes: Puente de diodos (Graetz). Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: SIL (19x3.5x10mm). Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 4. Tensión umbral Uf [V]: 0.85V. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -50°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

VRRM: 500V. Corriente directa (AV): 2.5A. Estructura dieléctrica: Puente de diodos. IFSM: 50A. Resonancia magnética (mín.): 10uA. Número de terminales: 4. Paso: 5.08mm. Dimensiones: 19x10x3.5mm. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB

Corriente nominal [A]: 5A/3.3A. Tensión de pico Urrm [V]: 600V. Corriente máxima Ifsm [A]: 150A. RoHS: sí. Familia de componentes: Puente de diodos (Graetz). Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: SIL (32x56x16mm). Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 4. Tensión umbral Uf [V]: 1.1V. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -50°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Corriente nominal [A]: 1A. Tensión de pico Urrm [V]: 600V. Corriente máxima Ifsm [A]: 40A. RoHS: sí. Familia de componentes: Puente de diodos (Graetz). Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: 8.3x6.4x3.1mm. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 4. Tensión umbral Uf [V]: 1.1V. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -50°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Corriente nominal [A]: 2A/1.5A. Tensión de pico Urrm [V]: 600V. Corriente máxima Ifsm [A]: 50A. RoHS: sí. Familia de componentes: Puente de diodos (Graetz). Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: redondo, Diámetro 9 mm, Altura 5,1 mm. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 4. Tensión umbral Uf [V]: 1V. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -50°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Corriente nominal [A]: 1A. Tensión de pico Urrm [V]: 600V. Corriente máxima Ifsm [A]: 45A. RoHS: sí. Familia de componentes: Puente de diodos (Graetz). Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: 8.3x6.4x2.5mm. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 4. Tensión umbral Uf [V]: 1.1V. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -50°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C