Vivienda
SOT-23 ( TO-236 )
Corriente rectificada promedio por diodo
0.215A
Corriente directa (AV)
215mA
Vivienda (según ficha técnica)
SOT-23 ( TO236 )
Configuración de diodo
independiente
Corriente de fuga inversa
1uA / 75V
Estructura dieléctrica
Ánodo-Cátodo
Función
Diodo de conmutación de alta velocidad
Material semiconductor
silicio
Montaje/instalación
componente montado en superficie (SMD)
Resonancia magnética (máx.)
0.5uA
Resonancia magnética (mín.)
30nA
Spec info
IFSM--1A (T=1ms), 4A (T=1us)
Temperatura de funcionamiento
-40...+150°C
Tensión directa Vf (mín.)
715mV
Tensión umbral Vf (máx)
1.25V
Tiempo de recuperación inversa (máx.)
6ns
Voltaje directo (máx.)
<1.25V / 0.15A
Producto original del fabricante
Philips Semiconductors