BAS16, SOT-23 ( TO-236 ), 100V, 0.215A, 215mA, 1A, SOT-23 ( TO236 )

BAS16, SOT-23 ( TO-236 ), 100V, 0.215A, 215mA, 1A, SOT-23 ( TO236 )

Cantidad
Precio unitario
10-49
0.0270€
50-99
0.0229€
100-499
0.0200€
500+
0.0167€
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Equivalencia disponible
Cantidad en inventario: 2038
Mín.: 10

BAS16, SOT-23 ( TO-236 ), 100V, 0.215A, 215mA, 1A, SOT-23 ( TO236 ). Vivienda: SOT-23 ( TO-236 ). VRRM: 100V. Corriente rectificada promedio por diodo: 0.215A. Corriente directa (AV): 215mA. IFSM: 1A. Vivienda (según ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). Cantidad por caja: 1. Cj: 1.5pF. Configuración de diodo: independiente. Corriente de fuga inversa: 1uA / 75V. Diodo Trr (Mín.): 4 ns. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Función: Diodo de conmutación de alta velocidad. Información: -. Marcado en la caja: A6W. Material semiconductor: silicio. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 3. Resonancia magnética (máx.): 0.5uA. Resonancia magnética (mín.): 30nA. RoHS: sí. Serie: BAS. Spec info: IFSM--1A (T=1ms), 4A (T=1us). Temperatura de funcionamiento: -40...+150°C. Tensión directa Vf (mín.): 715mV. Tensión umbral Vf (máx): 1.25V. Tiempo de recuperación inversa (máx.): 6ns. Tipo de diodo: Switching. Tipo de montaje: SMD. Voltaje directo (máx.): <1.25V / 0.15A. Producto original del fabricante: Philips Semiconductors. Cantidad mínima: 10. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 18:01

Documentación técnica (PDF)
BAS16
31 parámetros
Vivienda
SOT-23 ( TO-236 )
VRRM
100V
Corriente rectificada promedio por diodo
0.215A
Corriente directa (AV)
215mA
IFSM
1A
Vivienda (según ficha técnica)
SOT-23 ( TO236 )
Cantidad por caja
1
Cj
1.5pF
Configuración de diodo
independiente
Corriente de fuga inversa
1uA / 75V
Diodo Trr (Mín.)
4 ns
Estructura dieléctrica
Ánodo-Cátodo
Función
Diodo de conmutación de alta velocidad
Marcado en la caja
A6W
Material semiconductor
silicio
Montaje/instalación
componente montado en superficie (SMD)
Número de terminales
3
Resonancia magnética (máx.)
0.5uA
Resonancia magnética (mín.)
30nA
RoHS
Serie
BAS
Spec info
IFSM--1A (T=1ms), 4A (T=1us)
Temperatura de funcionamiento
-40...+150°C
Tensión directa Vf (mín.)
715mV
Tensión umbral Vf (máx)
1.25V
Tiempo de recuperación inversa (máx.)
6ns
Tipo de diodo
Switching
Tipo de montaje
SMD
Voltaje directo (máx.)
<1.25V / 0.15A
Producto original del fabricante
Philips Semiconductors
Cantidad mínima
10

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