BAS16LT-1, 200mA, 500mA, SOT-23 ( TO-236 ), 318–08, SOT–23 (TO–236AB), 75V

BAS16LT-1, 200mA, 500mA, SOT-23 ( TO-236 ), 318–08, SOT–23 (TO–236AB), 75V

Cantidad
Precio unitario
10-49
0.0311€
50-99
0.0280€
100+
0.0250€
Equivalencia disponible
Cantidad en inventario: 2396
Mín.: 10

BAS16LT-1, 200mA, 500mA, SOT-23 ( TO-236 ), 318–08, SOT–23 (TO–236AB), 75V. Corriente directa (AV): 200mA. IFSM: 500mA. Vivienda: SOT-23 ( TO-236 ). Vivienda (según ficha técnica): 318–08, SOT–23 (TO–236AB). VRRM: 75V. Cantidad por caja: 1. Cj: 2pF. Diodo Trr (Mín.): 6 ns. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Función: diodo de conmutación. Marcado en la caja: A6s. Material semiconductor: silicio. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Nota: serigrafía/código SMD A6s, A6t. Número de terminales: 3. Resonancia magnética (máx.): 50uA. Resonancia magnética (mín.): 1uA. RoHS: sí. Tensión directa Vf (mín.): 715mV. Tensión umbral Vf (máx): 1.25V. Producto original del fabricante: ON Semiconductor. Cantidad mínima: 10. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 18:01

Documentación técnica (PDF)
BAS16LT-1
22 parámetros
Corriente directa (AV)
200mA
IFSM
500mA
Vivienda
SOT-23 ( TO-236 )
Vivienda (según ficha técnica)
318–08, SOT–23 (TO–236AB)
VRRM
75V
Cantidad por caja
1
Cj
2pF
Diodo Trr (Mín.)
6 ns
Estructura dieléctrica
Ánodo-Cátodo
Función
diodo de conmutación
Marcado en la caja
A6s
Material semiconductor
silicio
Montaje/instalación
componente montado en superficie (SMD)
Nota
serigrafía/código SMD A6s, A6t
Número de terminales
3
Resonancia magnética (máx.)
50uA
Resonancia magnética (mín.)
1uA
RoHS
Tensión directa Vf (mín.)
715mV
Tensión umbral Vf (máx)
1.25V
Producto original del fabricante
ON Semiconductor
Cantidad mínima
10

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