BAS16LT1G, SOT-23, 100V, 0.2A, 0.2A

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BAS16LT1G, SOT-23, 100V, 0.2A, 0.2A. Vivienda: SOT-23. Vivienda (norma JEDEC): -. VRRM: 100V. Corriente rectificada promedio por diodo: 0.2A. Corriente directa [A]: 0.2A. Configuración de diodo: independiente. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Corriente de fuga al cerrar Ir [A]: 1uA..30uA. Corriente de fuga inversa: 1uA / 100V. Familia de componentes: Diodo de pequeña señal Montaje en superficie (SMD). Ifsm [A]: 36A. Información: -. MSL: -. Número de terminales: 3. RoHS: sí. Serie: BAS. Temperatura máxima: +150°C.. Tensión de cierre (repetitiva) Vrrm [V]: 75V. Tiempo de recuperación inversa (máx.): 6ns. Tipo de diodo: Switching. Tipo de montaje: SMD. Velocidad de conmutación (tiempo de regeneración) tr [seg.]: 6 ns. Voltaje directo (máx.): 1.25V / 0.15A. [V]: 0.855V @ 50mA. Producto original del fabricante: Onsemi. Cantidad en stock actualizada el 12/11/2025, 21:12

Documentación técnica (PDF)
BAS16LT1G
22 parámetros
Vivienda
SOT-23
VRRM
100V
Corriente rectificada promedio por diodo
0.2A
Corriente directa [A]
0.2A
Configuración de diodo
independiente
Configuración
componente montado en superficie (SMD)
Corriente de fuga al cerrar Ir [A]
1uA..30uA
Corriente de fuga inversa
1uA / 100V
Familia de componentes
Diodo de pequeña señal Montaje en superficie (SMD)
Ifsm [A]
36A
Número de terminales
3
RoHS
Serie
BAS
Temperatura máxima
+150°C.
Tensión de cierre (repetitiva) Vrrm [V]
75V
Tiempo de recuperación inversa (máx.)
6ns
Tipo de diodo
Switching
Tipo de montaje
SMD
Velocidad de conmutación (tiempo de regeneración) tr [seg.]
6 ns
Voltaje directo (máx.)
1.25V / 0.15A
[V]
0.855V @ 50mA
Producto original del fabricante
Onsemi