BAS21, 200mA, 625mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 250V. Corriente directa (AV): 200mA. IFSM: 625mA. Vivienda: SOT-23 ( TO-236 ). Vivienda (según ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). VRRM: 250V. Cantidad por caja: 1. Cj: 5pF. Diodo Trr (Mín.): 50 ns. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Función: Diodo de conmutación de alto voltaje. Marcado en la caja: JS. Material semiconductor: silicio. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Nota: serigrafía/código SMD JS. Número de terminales: 3. Resonancia magnética (máx.): 100uA. Resonancia magnética (mín.): 0.1uA. RoHS: sí. Spec info: IFSM--t=1µs 9A, t=100µs 3A, t=10ms 1.7A. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión directa Vf (mín.): 1V. Tensión umbral Vf (máx): 1.25V. Producto original del fabricante: Nxp Semiconductors. Cantidad mínima: 10. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 18:01