BAS28, SOT-143, 215mA, 0.215A, 1A, SOT-143, 85V

BAS28, SOT-143, 215mA, 0.215A, 1A, SOT-143, 85V

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BAS28, SOT-143, 215mA, 0.215A, 1A, SOT-143, 85V. Vivienda: SOT-143. Vivienda (norma JEDEC): -. Corriente directa (AV): 215mA. Corriente directa [A]: 0.215A. IFSM: 1A. Vivienda (según ficha técnica): SOT-143. VRRM: 85V. Cantidad por caja: 2. Cj: 1.5pF. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Corriente de fuga al cerrar Ir [A]: 30nA..50uA. Diodo Trr (Mín.): 4 ns. Estructura dieléctrica: Independiente. Familia de componentes: Diodo dual de pequeña señal, Montaje en superficie (SMD). Función: Conmutación de alta velocidad. Ifsm [A]: 4A. Marcado en la caja: JTp. Material semiconductor: silicio. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 4. Número de terminales: 4. RoHS: sí. Spec info: IFSM--t=1us 4Ap, t=1ms 1Ap.. Temperatura máxima: +150°C.. Temperatura: +150°C. Tensión de cierre (repetitiva) Vrrm [V]: 85V. Tensión directa Vf (mín.): 0.715V. Tensión umbral Vf (máx): 1.25V. Velocidad de conmutación (tiempo de regeneración) tr [seg.]: 4 ns. [V]: 0.855V @ 10mA. Producto original del fabricante: Philips Semiconductors. Cantidad mínima: 10. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 18:01

Documentación técnica (PDF)
BAS28
31 parámetros
Vivienda
SOT-143
Corriente directa (AV)
215mA
Corriente directa [A]
0.215A
IFSM
1A
Vivienda (según ficha técnica)
SOT-143
VRRM
85V
Cantidad por caja
2
Cj
1.5pF
Configuración
componente montado en superficie (SMD)
Corriente de fuga al cerrar Ir [A]
30nA..50uA
Diodo Trr (Mín.)
4 ns
Estructura dieléctrica
Independiente
Familia de componentes
Diodo dual de pequeña señal, Montaje en superficie (SMD)
Función
Conmutación de alta velocidad
Ifsm [A]
4A
Marcado en la caja
JTp
Material semiconductor
silicio
Montaje/instalación
componente montado en superficie (SMD)
Número de terminales
4
Número de terminales
4
RoHS
Spec info
IFSM--t=1us 4Ap, t=1ms 1Ap.
Temperatura máxima
+150°C.
Temperatura
+150°C
Tensión de cierre (repetitiva) Vrrm [V]
85V
Tensión directa Vf (mín.)
0.715V
Tensión umbral Vf (máx)
1.25V
Velocidad de conmutación (tiempo de regeneración) tr [seg.]
4 ns
[V]
0.855V @ 10mA
Producto original del fabricante
Philips Semiconductors
Cantidad mínima
10