BAS316, 0.5A, 1A, SOD-323, SOD-323, 85V

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Mín.: 10

BAS316, 0.5A, 1A, SOD-323, SOD-323, 85V. Corriente directa (AV): 0.5A. IFSM: 1A. Vivienda: SOD-323. Vivienda (según ficha técnica): SOD-323. VRRM: 85V. Cantidad por caja: 1. Cj: 1.5pF. Diodo Trr (Mín.): 4 ns. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Fecha de producción: 2014/22. Función: Diodo de alta velocidad. Marcado en la caja: A6. Material semiconductor: silicio. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 2. RoHS: sí. Spec info: IFSM--4A(t=1us), 1A(t=1ms). Temperatura de funcionamiento: -65...+150°C. Tensión directa Vf (mín.): 0.715V. Tensión umbral Vf (máx): 1.25V. Producto original del fabricante: Nxp Semiconductors. Cantidad mínima: 10. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 18:01

Documentación técnica (PDF)
BAS316
22 parámetros
Corriente directa (AV)
0.5A
IFSM
1A
Vivienda
SOD-323
Vivienda (según ficha técnica)
SOD-323
VRRM
85V
Cantidad por caja
1
Cj
1.5pF
Diodo Trr (Mín.)
4 ns
Estructura dieléctrica
Ánodo-Cátodo
Fecha de producción
2014/22
Función
Diodo de alta velocidad
Marcado en la caja
A6
Material semiconductor
silicio
Montaje/instalación
componente montado en superficie (SMD)
Número de terminales
2
RoHS
Spec info
IFSM--4A(t=1us), 1A(t=1ms)
Temperatura de funcionamiento
-65...+150°C
Tensión directa Vf (mín.)
0.715V
Tensión umbral Vf (máx)
1.25V
Producto original del fabricante
Nxp Semiconductors
Cantidad mínima
10