BAS45A, 250mA, 1A, DO-34 ( SOD68 ), DO-34 ( 3.4x1.6mm ), 125V

BAS45A, 250mA, 1A, DO-34 ( SOD68 ), DO-34 ( 3.4x1.6mm ), 125V

Cantidad
Precio unitario
1-4
0.36€
5-49
0.26€
50-99
0.22€
100+
0.20€
Cantidad en inventario: 861

BAS45A, 250mA, 1A, DO-34 ( SOD68 ), DO-34 ( 3.4x1.6mm ), 125V. Corriente directa (AV): 250mA. IFSM: 1A. Vivienda: DO-34 ( SOD68 ). Vivienda (según ficha técnica): DO-34 ( 3.4x1.6mm ). VRRM: 125V. Acondicionamiento: rollo. Cantidad por caja: 1. Cj: 4pF. Diodo Trr (Mín.): 1.5us. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Función: Diodo de baja fuga. Material semiconductor: silicio. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Nota: baja corriente inversa. Número de terminales: 2. RoHS: sí. Spec info: IFSM--1A t=1mS, 4A t=1uS. Temperatura: +175°C. Tensión directa Vf (mín.): 0.78V. Tensión umbral Vf (máx): 1V. Unidad de acondicionamiento: 5000. Producto original del fabricante: Nxp Semiconductors. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 18:01

Documentación técnica (PDF)
BAS45A
22 parámetros
Corriente directa (AV)
250mA
IFSM
1A
Vivienda
DO-34 ( SOD68 )
Vivienda (según ficha técnica)
DO-34 ( 3.4x1.6mm )
VRRM
125V
Acondicionamiento
rollo
Cantidad por caja
1
Cj
4pF
Diodo Trr (Mín.)
1.5us
Estructura dieléctrica
Ánodo-Cátodo
Función
Diodo de baja fuga
Material semiconductor
silicio
Montaje/instalación
Montaje mediante orificio pasante en PCB
Nota
baja corriente inversa
Número de terminales
2
RoHS
Spec info
IFSM--1A t=1mS, 4A t=1uS
Temperatura
+175°C
Tensión directa Vf (mín.)
0.78V
Tensión umbral Vf (máx)
1V
Unidad de acondicionamiento
5000
Producto original del fabricante
Nxp Semiconductors