BAS85, 12.7k Ohms, 0.2A, 4A, SOD-80C, 30 v. Vivienda: 12.7k Ohms. Corriente directa (AV): 0.2A. IFSM: 4A. Vivienda (según ficha técnica): SOD-80C. VRRM: 30 v. Cantidad por caja: 1. Cj: 10pF. Corriente de conducción: 200mA. Corriente de pulso Máx.: 5A. Diodo Trr (Mín.): 5 ns. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Estructura semiconductora: diodo. Función: Diodos de barrera Schottky de conmutación rápida de vidrio. Material semiconductor: Sb. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 2. Pd (disipación de potencia, máx.): 200mW. Resonancia magnética (máx.): 2uA. RoHS: sí. Spec info: IFSM--4A t=10ms. Temperatura de funcionamiento: -55...+125°C. Tensión directa Vf (mín.): 0.24V. Tensión umbral Vf (máx): 0.8V. Tensión umbral: 320mV. Tipo de diodo: Diodo rectificador Schottky. Voltaje de conducción (voltaje umbral): 0.8V. Voltaje inverso máximo: 30V. Producto original del fabricante: Taiwan Semiconductor. Cantidad mínima: 10. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 18:01