BAS85-GS08, 12.7k Ohms, 30 v, 0.2A, 0.2A, 0.2A, 0.6A, SOD-80C. Vivienda: 12.7k Ohms. Vivienda (norma JEDEC): -. VRRM: 30 v. Corriente rectificada promedio por diodo: 0.2A. Corriente directa (AV): 0.2A. Corriente directa [A]: 0.2A. IFSM: 0.6A. Vivienda (según ficha técnica): SOD-80C. Cantidad por caja: 1. Cj: 10pF. Configuración de diodo: independiente. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Corriente de fuga al cerrar Ir [A]: 0.2uA..2uA. Corriente de fuga inversa: 2uA / 25V. Diodo Trr (Mín.): 5 ns. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Familia de componentes: Diodo Schottky para señales pequeñas, montaje SMD. Función: Diodos de barrera Schottky de conmutación rápida de vidrio. Ifsm [A]: 0.6A. Información: -. MSL: -. Material semiconductor: Sb. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 2. Número de terminales: 2. Pd (disipación de potencia, máx.): 200mW. Resonancia magnética (máx.): 2uA. Resonancia magnética (mín.): 0.2uA. RoHS: sí. Serie: BAS. Spec info: IFSM 0.6A t=1s. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Temperatura máxima: +150°C.. Tensión de cierre (repetitiva) Vrrm [V]: 30 v. Tensión directa Vf (mín.): 0.24V. Tensión umbral Vf (máx): 0.8V. Tipo de diodo: choco. Tipo de montaje: SMD. Velocidad de conmutación (tiempo de regeneración) tr [seg.]: 5 ns. Voltaje directo (máx.): <0.80V / 0.1A. [V]: 0.4V @ 10mA. Producto original del fabricante: Vishay. Cantidad mínima: 10. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 18:01