BAT43, DO-35 ( SOD27 ), 30 v, 0.2A, 0.2A, 4A, 0.2A, DO-35. Vivienda: DO-35 ( SOD27 ). Vivienda (norma JEDEC): -. VRRM: 30 v. Corriente directa (AV): 0.2A. Corriente rectificada promedio por diodo: 0.2A. IFSM: 4A. Corriente directa [A]: 0.2A. Vivienda (según ficha técnica): DO-35. Cantidad por caja: 1. Cj: 7pF. Configuración de diodo: independiente. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Corriente de fuga al cerrar Ir [A]: 0.5uA..100uA. Corriente de fuga inversa: 0.5uA / 25V. Corriente de pulso Máx.: 4A. Diodo Trr (Mín.): 5 ns. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Estructura semiconductora: diodo. Familia de componentes: Diodo Schottky de pequeña señal. Ifsm [A]: 4A. Información: -. MSL: n/a. Material semiconductor: Sb. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 2. Número de terminales: 2. Resonancia magnética (máx.): 100uA. Resonancia magnética (mín.): 0.5uA. RoHS: sí. Serie: BAT4. Spec info: IFSM--4Ap (t=/10ms). Temperatura de funcionamiento: -65...+150°C. Temperatura máxima: +150°C.. Tensión de cierre (repetitiva) Vrrm [V]: 30 v. Tensión directa Vf (mín.): 0.26V. Tensión umbral Vf (máx): 0.46V. Tensión umbral: 450mV, 0.45V. Tiempo de reacción: 5ns. Tiempo de recuperación inversa (máx.): 5ns. Tipo de diodo: Diodo rectificador Schottky. Tipo de montaje: THT. Velocidad de conmutación (tiempo de regeneración) tr [seg.]: 5 ns. Voltaje de conducción (voltaje umbral): 0.45V. Voltaje directo (máx.): <0.33V / 2mA. Voltaje inverso máximo: 30V. [V]: 0.45V @ 15mA. Producto original del fabricante: Taiwan Semiconductor. Cantidad mínima: 10. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 12:18