BAT54A-215, SOT-23 ( TO-236 ), 200mA, 0.2A, 600mA, SOT-23 ( TO236 ), 30 v

BAT54A-215, SOT-23 ( TO-236 ), 200mA, 0.2A, 600mA, SOT-23 ( TO236 ), 30 v

Cantidad
Precio unitario
10-49
0.0408€
50-99
0.0365€
100-199
0.0321€
200+
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Mín.: 10

BAT54A-215, SOT-23 ( TO-236 ), 200mA, 0.2A, 600mA, SOT-23 ( TO236 ), 30 v. Vivienda: SOT-23 ( TO-236 ). Vivienda (norma JEDEC): -. Corriente directa (AV): 200mA. Corriente directa [A]: 0.2A. IFSM: 600mA. Vivienda (según ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). VRRM: 30 v. Cantidad por caja: 2. Cj: 10pF. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Corriente de fuga al cerrar Ir [A]: 2uA. Diodo Trr (Mín.): 5 ns. Estructura dieléctrica: ánodo común. Familia de componentes: diodo Schottky doble, montaje SMD. Función: Diodo Schottky doble. Ifsm [A]: 0.6A. Marcado en la caja: L42 o V3. Material semiconductor: Sb. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 3. Número de terminales: 3. Resonancia magnética (máx.): 2uA. RoHS: sí. Spec info: IFSM--600mAp (t=10ms). Temperatura de funcionamiento: -65...+150°C. Temperatura máxima: +150°C.. Tensión de cierre (repetitiva) Vrrm [V]: 30 v. Tensión directa Vf (mín.): 240mV. Tensión umbral Vf (máx): 800mV. Velocidad de conmutación (tiempo de regeneración) tr [seg.]: 5 ns. [V]: 0.4V @ 10mA. Producto original del fabricante: Nxp Semiconductors. Cantidad mínima: 10. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 12:18

Documentación técnica (PDF)
BAT54A-215
32 parámetros
Vivienda
SOT-23 ( TO-236 )
Corriente directa (AV)
200mA
Corriente directa [A]
0.2A
IFSM
600mA
Vivienda (según ficha técnica)
SOT-23 ( TO236 )
VRRM
30 v
Cantidad por caja
2
Cj
10pF
Configuración
componente montado en superficie (SMD)
Corriente de fuga al cerrar Ir [A]
2uA
Diodo Trr (Mín.)
5 ns
Estructura dieléctrica
ánodo común
Familia de componentes
diodo Schottky doble, montaje SMD
Función
Diodo Schottky doble
Ifsm [A]
0.6A
Marcado en la caja
L42 o V3
Material semiconductor
Sb
Montaje/instalación
componente montado en superficie (SMD)
Número de terminales
3
Número de terminales
3
Resonancia magnética (máx.)
2uA
RoHS
Spec info
IFSM--600mAp (t=10ms)
Temperatura de funcionamiento
-65...+150°C
Temperatura máxima
+150°C.
Tensión de cierre (repetitiva) Vrrm [V]
30 v
Tensión directa Vf (mín.)
240mV
Tensión umbral Vf (máx)
800mV
Velocidad de conmutación (tiempo de regeneración) tr [seg.]
5 ns
[V]
0.4V @ 10mA
Producto original del fabricante
Nxp Semiconductors
Cantidad mínima
10