BAT54C, SOT-23 ( TO-236 ), 30 v, 0.1A, 200mA, 600mA, SOT-23 ( TO236 )

BAT54C, SOT-23 ( TO-236 ), 30 v, 0.1A, 200mA, 600mA, SOT-23 ( TO236 )

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10-24
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Mín.: 10

BAT54C, SOT-23 ( TO-236 ), 30 v, 0.1A, 200mA, 600mA, SOT-23 ( TO236 ). Vivienda: SOT-23 ( TO-236 ). VRRM: 30 v. Corriente rectificada promedio por diodo: 0.1A. Corriente directa (AV): 200mA. IFSM: 600mA. Vivienda (según ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). Cantidad por caja: 2. Cj: 10pF. Corriente de conducción: 200mA. Corriente de fuga inversa: 2uA / 25V. Corriente de pulso Máx.: 600mA. Diodo Trr (Mín.): 5 ns. Estructura dieléctrica: cátodo común. Función: Diodo Schottky doble. Información: -. Marcado en la caja: L43 o W1. Material semiconductor: Sb. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 3. Resonancia magnética (máx.): 2uA. RoHS: sí. Serie: BAT. Spec info: IFSM--600mAp (t=10ms). Temperatura de funcionamiento: -65...+150°C. Tensión directa Vf (mín.): 240mV. Tensión umbral Vf (máx): 800mV. Tensión umbral: 800mV. Tiempo de recuperación inversa (máx.): 5ns. Tipo de diodo: Diodo rectificador Schottky. Tipo de montaje: SMD. Voltaje de conducción (voltaje umbral): 0.8V, 800mV. Voltaje directo (máx.): <1V / 0.1A. Voltaje inverso máximo: 30V. Producto original del fabricante: Nxp Semiconductors. Cantidad mínima: 10. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 12:18

Documentación técnica (PDF)
BAT54C
34 parámetros
Vivienda
SOT-23 ( TO-236 )
VRRM
30 v
Corriente rectificada promedio por diodo
0.1A
Corriente directa (AV)
200mA
IFSM
600mA
Vivienda (según ficha técnica)
SOT-23 ( TO236 )
Cantidad por caja
2
Cj
10pF
Corriente de conducción
200mA
Corriente de fuga inversa
2uA / 25V
Corriente de pulso Máx.
600mA
Diodo Trr (Mín.)
5 ns
Estructura dieléctrica
cátodo común
Función
Diodo Schottky doble
Marcado en la caja
L43 o W1
Material semiconductor
Sb
Montaje/instalación
componente montado en superficie (SMD)
Número de terminales
3
Resonancia magnética (máx.)
2uA
RoHS
Serie
BAT
Spec info
IFSM--600mAp (t=10ms)
Temperatura de funcionamiento
-65...+150°C
Tensión directa Vf (mín.)
240mV
Tensión umbral Vf (máx)
800mV
Tensión umbral
800mV
Tiempo de recuperación inversa (máx.)
5ns
Tipo de diodo
Diodo rectificador Schottky
Tipo de montaje
SMD
Voltaje de conducción (voltaje umbral)
0.8V, 800mV
Voltaje directo (máx.)
<1V / 0.1A
Voltaje inverso máximo
30V
Producto original del fabricante
Nxp Semiconductors
Cantidad mínima
10