BAV199

Cantidad (Conjunto de 10)	sin IVA	IVA incl.
1 - 1	0.91€	1.10€
2 - 2	0.87€	1.05€
3 - 4	0.82€	0.99€
5 - 9	0.80€	0.97€
10 - 24	0.77€	0.93€
25 - 49	0.67€	0.81€
50 - 787	0.64€	0.77€

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2 - 2	0.87€	1.05€
3 - 4	0.82€	0.99€
5 - 9	0.80€	0.97€
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Conjunto de 10

BAV199. Vivienda: SOT-23 ( TO-236 ). Vivienda (según ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). VRRM: 85V. Corriente directa (AV): 200mA. IFSM: 500mA. RoHS: sí. Spec info: IFSM--4.5A (tp=1us), 0.5A (tp=1s). Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Tensión umbral Vf (máx): 1.25V. Tensión directa Vf (mín.): 0.9V. Cj: 2pF. Cantidad por caja: 2. Estructura dieléctrica: Ánodo-cátodo común (punto medio). Diodo Trr (Mín.): 0.6us. Material semiconductor: silicio. Función: diodo dual de baja fuga. Fecha de producción: 2014/49. Resonancia magnética (máx.): 80nA. Resonancia magnética (mín.): 5nA. Marcado en la caja: JYs. Número de terminales: 3. Temperatura: +150°C. Producto original del fabricante Infineon Technologies. Cantidad en stock actualizada el 26/07/2025, 13:25.

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