BAV199, SOT-23 ( TO-236 ), TO-236AB, 0.16A, 200mA, 500mA, SOT-23 ( TO236 ), 85V. Vivienda: SOT-23 ( TO-236 ). Vivienda (norma JEDEC): TO-236AB. Corriente directa [A]: 0.16A. Corriente directa (AV): 200mA. IFSM: 500mA. Vivienda (según ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). VRRM: 85V. Cantidad por caja: 2. Cj: 2pF. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Corriente de fuga al cerrar Ir [A]: 5nA...80nA. Diodo Trr (Mín.): 0.6us. Estructura dieléctrica: Ánodo-cátodo común (punto medio). Familia de componentes: Diodo dual de pequeña señal, Montaje en superficie (SMD). Fecha de producción: 2014/49. Función: diodo dual de baja fuga. Ifsm [A]: 2A. Marcado en la caja: JYs. Material semiconductor: silicio. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 3. Número de terminales: 3. Resonancia magnética (máx.): 80nA. Resonancia magnética (mín.): 5nA. RoHS: sí. Spec info: IFSM--4.5A (tp=1us), 0.5A (tp=1s). Temperatura máxima: +150°C.. Temperatura: +150°C. Tensión de cierre (repetitiva) Vrrm [V]: 85V. Tensión directa Vf (mín.): 0.9V. Tensión umbral Vf (máx): 1.25V. Velocidad de conmutación (tiempo de regeneración) tr [seg.]: 3us. [V]: 1V @ 10mA. Producto original del fabricante: Infineon Technologies. Cantidad mínima: 10. Cantidad en stock actualizada el 31/10/2025, 08:15